MOS器件退化：P-NMOS特性退化解析-KIA MOS管
NMOSFET特性退化
饱和区:
通常Vg<Vd
不利于电子注入
存在界面态生成条件
NMOS特性退化的3种模式：
对于带有LDD的NMOS结构，还有spacer氧化层区域的退化问题。
对漏端轻掺杂(LDD) NMOSEET's,多一个附加的退化效应: spacer氧化层区域的退化，这里产生的陷阱会引起漏端电阻的增加。
因此，通常认为存在两个退化过程:早期spacer区域退化占优，而随着应力时间增加，沟道内也逐渐出现陷阱，导致器件表现出后期退化规律。
PMOS特性退化类似于NMOS，但相对NMOS要轻微一些。
PMOS特性退化
饱和区:
|Vg|<|Vd|,但Vg<0 Vd<0
利于电子注入界面态和氧化层陷阱生成条件
同样的3种退化条件：
Vg≈Vt :氧化层中产生的大量陷阱俘获电子，主要位于漏端附近;而空穴陷阱只有少量产生，离漏端有一点距离
Vg=Vd/2:界面陷阱的产生起主要作用
Vg=Vd:可以观察到氧化层正电荷，而界面陷阱将主要限制PMOSFET的可靠性.
以上三种退化机制的共同作用，如负氧化层电荷、界面陷阱、正氧化层电荷的产生，将决定PMOSFET热载流子退化随时间的变化关系，即器件寿命。
下面这张图说明Vg取一半Vd的原因：此时衬底电流最大
Vg在一半Vd前后两种条件下，热载流子效应的差异
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