IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A参数 原厂直销-KIA MOS管
IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-特征
RDS(on)=1.9mΩ（typ.）@ VGS=10V
低导通电阻
快速切换
100%雪崩试验
重复雪崩最高允许Tjmax
无铅，符合RoHS标准
IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-描述
KIA3103A采用沟槽加工技术设计，具有极低的导通电阻。这种设计的其他特点是一个150°接点工作温度，快速开关速度和改进了重复雪崩等级。这些特性结合在一起，使这个设计成为一个非常有效的和可靠的设备，用于电机应用和广泛的其他应用。
IRF8726替代MOS管KIA3103A 30V110A-参数
型号：KNY3103A
工作方式：110A/30V
漏源极电压：30V
栅源电压：±20V
脉冲漏电流测试：440A
雪崩能量单脉冲：361MJ
最大功耗：62.5W
最高结温：150℃
IRF8726替代MOS管KIA3103A产品封装
KNY3103AMOS管产品的封装是以新型的封装DFN5*6为主，KIA半导体与知名的天水华天微封装厂家合作，见下图
IRF8726替代MOS管KIA3103A规格书
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KIA MOS管、场效应管的具体应用领域：
1. 工业领域：步进马达驱动，电钻工具，工业开关电源
2. 新能源领域：光伏逆变，充电桩，无人机
3. 交通领域：车载逆变器，汽车HID安定器，电动自动车
4. 绿色照明领域：CCFL节能灯； LED照明电源，金卤灯镇流器
以上应用领域广，型号也大不相同，根据参数的不同我们也会为你选择更适合你的产品,有种精神叫坚持，目标始终没有变，十年创新，我们领跑科技发展。
KIA本着“携手客户，创新设计，共同提升，服务市场”的理念，期待在您的大力支持下，使KIA成为MOSFET器件领域的优秀mos管品牌。
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