5N60场效应管参数代换 5N60引脚图 5N60E参数4.5A600V-KIA MOS管
这些N沟道增强模式的功率场效应晶体管是用KIA半导体制造的专有、平面、DMOS技术。这项先进的技术经过了特别的调整，以使其最小化通态电阻，提供优越的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和换向模式。这些器件非常适合于高效率的开关模式电源供应和电子灯镇流器的基础上的半桥。
5N60 4.5A600V场效应管-特征
4.5A，600V，RDS（ON）= 2Ω@ VGS = 10v
低反馈电容（典型值8.0pf）
低栅极电荷（典型值高= 16nc）
快速切换
100%雪崩测试
改进的dt／dt能力
符合RoHS
5N60 4.5A600V场效应管参数
产品编号：KIA 5N60
系列名称：MOSFET
沟道：N沟道
耗散功率（pd）：100
漏源反向电压（Vds）：600
栅源反向电压（Vgs）：30
漏极电流（连续）（id）：5
最高结温（Tj），℃：150
上升时间（tr）：42
输出电容（Cd），PF：55
通态电阻（Rds），ohm：1.8
封装形式：TO-220、TO-220F等
5N60E 4.5A600V封装图
5N60场效应管规格书资料
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