12N65场效应管 12N65参数代换650V12A 12N65引脚-KIA MOS管
12N65场效应管 12N65参数代换-描述
KIA12N65H N沟道增强型硅栅功率MOSFET设计用于高功率应用，诸如高效率开关模式电源的高速功率开关应用，有源功率因数校正，基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴，主动了解客户需求，不断研发创新，为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品。
12N65场效应管 12N65参数代换-特征
RDS(on)= 0.63Ω @ VGS= 10 V
低栅极电荷（典型的52nc）
快速开关能力
雪崩能量
改进dt／dt能力
12N65场效应管 12N65参数代换-引脚配置
12N65场效应管 12N65参数代换-参数
12N65场效应管 12N65参数代换-电路图
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