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MOS晶体管的源极与基底等电位、MOS小信号等效电路解析

信息来源:本站 日期:2017-08-23 

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源区与基底等电位时

MOS晶体管的源极与基底等电位,由于Ubs=0,所以小信号等效电路能够简化成图2.4那样。由于漏极电导的倒数就是输出电阻ro,所以能够表示为ro=l/gd。输出电阻ro也好,漏极电导gd也好,它们经常呈现在小信号解析中。


图2.2和图2,4所示的小信号等效电路不只适用于NMOS晶体管,也适用于PMOS晶体管。但是需求留意的是,这个小信号等效电路中,当小信号电压Vgs增加时,小信号电流id增加的方向是从漏极指向源极的方向。所以关于PMOS的小信号等效电路,运用图2.5和图2.6所示的电路停止阐明。图2.5和图2.6中,当Vsg(或者Vsb)增加时,从源极流向漏极的小信号电流id增加。


MOS晶体管中存在寄生电容。思索到寄生电容的MOS晶体管的等效电路如图2.7所示。在讨论高频特性时,运用这种加上了电容成分的模型,这也使人工计算停止解析变得复杂。在SPICE之类的电路模仿中,运用含有这些寄生电容成分的器件模型停止计算。

mos管
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