irf630场效应管参数
irf630场效应管简述
IR的第五代HEXFET功率场效应管IRF630采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF630这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF630成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
TO-220封装的IRF630普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF630得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF630适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。TO-262是IRF630的通孔安装版，适合较低端的应用。
irf630场效应管特性
先进的工艺技术
贴片安装（IRF630NS）
低端通孔安装（IRF630NL）
动态dv/dt率
175℃工作温度
快速转换速率
轻松并行
仅需简单驱动
无铅环保
irf630场效应管参数详情
漏极电流, Id 最大值：9A
电压, Vds 最大：200V
开态电阻, Rds(on)：0.4ohm
电压 @ Rds测量：10V
电压, Vgs 最高：3V
功率, Pd：100W
封装类型, 替代：SOT-78B
引脚节距：2.54mm
时间, trr 典型值：170ns
晶体管数：1
晶体管类型：MOSFET
满功率温度：25°C
电容值, Ciss 典型值：540pF
电流, Idm 脉冲：36A
表面安装器件：通孔安装
针脚格式：1G 2+插口 D 3S
阈值电压, Vgs th 最低：2V
阈值电压, Vgs th 最高：4V
irf630场效应管参数附件
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