HY3210场效应管代换2910A HY3210参数 引脚图-KIA MOS管
MOS管KNX2910A漏源击穿电压100V，漏极电流最大值为130A；低内阻：5Ω，采用超高密度电池设计、超低导通电阻，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小，高效稳定。适用于无刷电机、开关电源同步整流等。封装形式：TO-263、TO-220、TO-3P。KNX2910A型号产品可完美替代hy3210使用，下面是HY3210和KNX2910A两个型号的参数对比、封装、规格书等详情。
HY3210场效应管代换 2910A参数-应用领域
SMPS的高效同步整流
高速功率转换
HY3210场效应管代换 2910A参数-特性
RDS(ON) = 5.0mΩ@VGS = 10V
超高密度电池设计
超低导通电阻
100%雪崩测试
无铅环保器件(符合RoHS标准)
HY3210场效应管代换 2910A参数-规格书
MOS管 HY3210封装引脚图
MOS管 HY3210 100V/120A参数
广东可易亚半导体科技有限公司（KIA半导体）是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体研发中心来自韩国、台湾，拥有超一流的团队，有着16年的研发经验，产品设计方面也拥有着35项知识产权。
KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域，不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源，也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专注于产品的精细化与革新，力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
