2408A场效应管 190a 80v 参数引脚图-KIA MOS管
MOS管KNX2408A：漏源击穿电压80V，漏极电流最大值为190A；RDS (on) = 3.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX2408A采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷，高效稳定。广泛应用于无刷电机、不间断电源等产品。封装形式：TO-220、TO-263、TO-247。
2408A场效应管 190a 80v-特点
VDS=80V，ID=190A，RDS（开启）（典型值）=3.7mΩ@VGS=10V
低Rdson的高密度电池设计
完全表征的雪崩电压和电流
稳定性和均匀性好，EAS高
出色的封装，散热良好
2408A场效应管 190a 80v-应用
电源切换应用
硬开关和高频电路
不间断电源
2408A场效应管 190a 80v-封装
2408A场效应管 190a 80v-参数
KIA半导体MOSFET场效应管采用优质芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。来电咨询，免费送样！
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