40A 250V场效应管参数代换,9125A场效应管引脚图-KIA MOS管
N沟道 MOS管KNP9125A最高承受电压可达250V，漏极电流最大值为40A，RDS（ON）=80mΩ（典型值）@VGS=10V；封装形式：TO-220；脚位排列位GDS。
40A 250V场效应管参数,9125A-产品特征
专有新型平面技术
RDS（ON）=80mΩ（典型值）@VGS=10V
低栅极电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
40A 250V场效应管参数,9125A-参数
漏源电压：250V
漏极电流：40A
功耗:125W
栅源电压:±20V
单脉冲雪崩能:1250MJ
峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns
40A 250V场效应管参数,9125A-规格书
40A 250V场效应管KNP9125A采用KIA半导体专有新型平面技术，高效优质，适用于逆变器开关电源、DC-DC转换器、SMPS和电机控制等。需要了解更多产品详情请来电咨询，免费送样！
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
免责声明：本网站部分文章或图片来源其它出处，如有侵权，请联系删除。
