nce65t540参数代换,引脚图,6165C场效应管-KIA MOS管
nce65t540参数,引脚图,6165C
KNF6165C最高承受电压可达650V，漏极电流最大值为10A，栅源电压：±20V，脉冲漏极电流：40A，RDS（ON）=0.8Ω（典型值）@VGS=10V；封装形式：TO-220F；脚位排列位GDS。KNF6165C沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。6165C 650V 10A场效应管能够代替nce65t540型号产品，高效质优，国产原厂。
nce65t540参数,引脚图,6165C-特点
快速切换
RDS（ON）=0.8Ω（典型值）@VGS=10V
低栅极电荷
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
nce65t540参数,引脚图,6165C-封装
nce65t540参数,引脚图,6165C规格书
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