28n50场效应管参数 3P,20n50场效应管代换-KIA MOS管
28n50场效应管参数,20n50,代换
KIA28N50漏源击穿电压高达500V，漏极电流最大为28A；RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低电荷最小化开关损耗，良好的开关特性等优点，适用于车载逆变器、LED电源、手机充电器、备用电源等。封装形式：TO-3P、TO-220F。KIA28N50可代换其他品牌同参数的场效应管，如飞虹20N50/24N50/28N50等型号替代，原厂优质产品直销。
28n50场效应管参数,20n50,代换
KIA28N50参数资料：
RDS（ON）=0.16Ω（典型值）@VGS=10V
低栅极电荷
低Crss
100%雪崩Aested
提高dv/dt能力
符合RoHS
28n50场效应管参数,20n50,代换
KIA28N50封装引脚图
28n50场效应管参数,20n50,代换
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