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20n50场效应管参数,引脚图,20n50场效应管代换-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2023-10-24 

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20n50场效应管参数,引脚图,20n50场效应管代换-KIA MOS管


20n50场效应管参数,代换KNX7150A


在电路设计中,合理选择场效应管的参数非常关键,只有合理选用元件,才能够实现电路的高效率。KNX7150A型号产品是一种低电流、高压的场效应管,主要特点有内阻低、开关速度快、耐冲击特性好等。


KNX7150A漏源击穿电压高达500V,漏极电流为20A;RDS(on),typ.(典型值)=0.24Ω@Vgs=10V,封装形式:TO-3P、TO-220、TO-220F,KNX7150A可以作为20n50场效应管代换使用,优质国产品牌产品。

20n50场效应管参数,代换


20n50场效应管参数,代换KNX7150A


1、专有新平面技术

2、RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V

3、低栅极电荷最小化开关损耗

4、快恢复体二极管


20n50场效应管参数,代换KNX7150A规格书


型号:KNX7150A

工作方式:20A/ 500V

漏源电压:500V

门源电压:±30V

连续漏电流:20V

单脉冲雪崩能量:1500MJ

峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns

操作和储存温度范围:-55℃至150℃

漏源击穿电压:500V

输入电容:2650pF

输出电容:255pF

反向转移电容:34pF

20n50场效应管参数,代换


20n50场效应管参数,代换

从KNX7150A参数资料中可以看出,该产品内阻低,耐压能力较强,适合在高压开关电源、DC/AC电源转换器、PWM马达驱动、逆变器、电焊机等领域应用。如需了解更多产品详情,请来电咨询或在线留言~


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