AO3415,3415场效应管参数,3415场效应管替代-KIA MOS管
AO3415,3415场效应管参数资料
3415场效应管漏源击穿电压-16V，漏极电流为-4A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。3415场效应管非常适合使用于苹果充电头、玩具、蓝牙、感应灯等产品领域，3415场效应管能够替代VISHAY(威世)、时科、CJ、AO品牌型号进行使用，国产原厂高性价比。
KIA3415采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3415不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。KIA3415是绿色产品订购首选。
AO3415,3415场效应管参数
VDS(V)=-16V
ID=-4.0A
RDS(on)<45mΩ(VGS=-4.5V,ID=-4.0A)
RDS(on)<54mΩ(VGS=-2.5V,ID=-2.5A)
RDS(on)<75mΩ(V GS=-1.8V,ID=-2.0A)
AO3415,3415场效应管参数封装图
AO3415,3415场效应管参数详情
MOS管KIA3415 -16V-4.0A资料-规格书
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MOS管国产品牌KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域，不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源，也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专注于产品的精细化与革新，力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。
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