si2306场效应管参数,2306场效应管参数代换-KIA MOS管
si2306场效应管参数,2306场效应管资料
2306场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为3.5A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。2306场效应管非常适合应用于LED感应灯、玩具、蓝牙音箱等产品领域，2306场效应管能够替代VISHAY(威世)、时科、CJ、新洁能产品型号进行使用，KIA半导体原厂直销高性价比。
VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D =3.5A
VDS =30V,R DS(on) =0.094Ω@V GS =4.5V,I D =2.8A
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产品型号：KIA2306
工作方式：3.5A/30V
漏源电压：30V
栅源电压：±20A
漏电流连续：3.5A
脉冲漏极电流：16A
雪崩电流：1.25A
耗散功率：1.25W
热电阻：100V/℃
漏源击穿电压：30V
栅极阈值电压：1V
输入电容：555PF
输出电容：120PF
上升时间：7.5ns
封装形式：SOT-23
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