4n65场效应管参数引脚图,4n65场效应管代换,4A 650V-KIA MOS管
4n65场效应管参数引脚图
4n65场效应管是使用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产的，这项先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。4n65场效应管非常适合高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有功功率因数校正。
4n65场效应管漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，RDS（开）=2.5Ω @ VGS=10V；4n65场效应管还具有低栅极电荷，典型值为16nC，为电路设计提供了更多的灵活性，并且它还拥有高坚固性，能够在各种环境条件下可靠工作，确保设备的稳定性和可靠性；快速切换是该器件的另一大特点，能够带来更高的效率和更快的响应速度；经过100%雪崩测试的验证，保证了其在高压下的可靠性和稳定性。此外，改进的dv/dt能力使得它在高速开关应用中表现出色，能够有效减少电路中的噪音和干扰。
KIA4N65H场效应管封装形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F，多种封装选择方便安装使用；KIA4N65H能够代换其他品牌4n65型号，是一款性能优异且可靠耐用的器件，适用于各种功率电子应用领域。
4n65场效应管参数,代换,KIA4N65H参数
漏源电压：650V
栅源电压：±30V
漏电流连续：4.0A
脉冲漏极电流：12A
雪崩能量：210mJ
耗散功率：58/104W
热电阻：110℃/W
漏源击穿电压：650V
温度系数：0.65V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：560 PF
输出电容：55 PF
上升时间：40 ns
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