4n65场效应管参数代换,KIA4365A参数规格书,国产原厂-KIA MOS管
4n65场效应管参数代换
漏源电压：650V
漏电流连续：4.0A
栅源电压：±30V
耗散功率：58/104W
栅极阈值电压：2.0V
封装形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
4n65场效应管参数代换,KIA4365A资料
KIA4365A场效应管是一款高性能的电子器件，漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，RDS（ON）典型值为2.0Ω，在VGS为10V，ID为2A时；这款场效应管采用了快速切换技术，经过100%雪崩测试，并具有改进的dv/dt能力，可以保证其稳定可靠的性能。
KIA4365A场效应管这款场效应管适用于多种电子应用领域，特别是在高频开关电源和不间断电源（UPS）等场合中表现出色，还可用于电子镇流器等设备中，为电路的正常运行提供支持和保障。KIA4365A能够代换其他品牌4n65型号，封装形式：TO-252、TO-220F。
4n65场效应管参数代换,KIA4365A参数
漏源电压：650V
漏电流连续：4A
栅源电压：±30V
脉冲漏极电流：60A
雪崩能量：180mJ
耗散功率：55W
漏源击穿电压：650V
温度系数：0.65V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：523PF
输出电容：58.7PF
上升时间：14.9ns
4n65场效应管参数代换,KIA4365A规格书
KIA4365A场效应管高效可靠，能够确保在高压和高电流环境下的稳定工作，具有快速切换特性能够有效降低能量损耗，提高电路效率，同时100%雪崩测试保证了其安全可靠性；改进的dv/dt能力使其在电路切换时具有更快的响应速度，有助于提高系统的动态响应能力；广泛应用于各种电力电子系统中，为实现高效能、可靠性能和稳定性能提供有力支持。
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