20N50现货供应商 KIA20N50 PDF 20N50参数详细资料-KIA 官网

信息来源：本站　日期：2018-01-19　

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KIA20n50h N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源功率因数校正。

产品型号：KIA 20N50

漏极至源极电压（VDSS）：500V

栅源电压（VGSS）：±30V

漏极电流（连续）（lD）：20A

耗散功率（PD）：41W/0.33W/℃

工作温度：+150/℃

击穿电压温度：0.5V/℃

输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz

上升时间：VDD=250V，ID=20A，RG=25Ω

封装形式：TO-220F、TO-247、TO-3P

RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v

Lowgate charge ( typical 70nC)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt／dt能力

	20N50（20A 500V）
产品编号	KIA20N50/C/HF/HH/HM
产品工艺	kia20n50h N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源功率因数校正。
沟道	N沟道MOSFET
特征	RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v Lowgate charge ( typical 70nC) 快速切换的能力雪崩能量改进的dt／dt能力
适用范围	主要适用于高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源功率因数校正
封装形式	TO-220F、TO-247、TO-3P
PDF文件	【直接在线预览】
厂家	KIA 原厂家
LOGO
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总5页数