深圳市可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

13N50现货供应商 KIA13N50 PDF 13N50参数详细资料-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-01-19 

分享到:

13N50产品描述

KIA13N50 N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源,基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器。

2、KIA13N50参数

产品编号:KIA13N50

漏极至源极电压(VDSS):500V

栅源电压(VGSS):±30V

漏极电流 (连续)(lD):13A

耗散功率(PD):195W

工作温度:±150℃

击穿电压温度:0.5/℃

输入电容:VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz

上升时间:VDD=250V,ID=13A,RG=25Ω


3、KIA13N50特征

RDS(ON)= 0.4Ω@ V GS = 10v

低栅极电荷(典型的45nc)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力


4、KIA13N50产品规格


13N50(13A 500V)
产品编号 KIA13N50/A/HB/HF/HP/UF/TH
沟道 MOSFET N沟道
封装形式 TO-220、TO220F、TO-263
产品工艺

13N50 N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源,基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器

产品特征

RDS(ON)= 0.4Ω@ V GS = 10v

低栅极电荷(典型的45nc)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力

适用范围 主要适用于高电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源,基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器
PDF文件 【直接在线预览】
厂家 KIA 原厂家
LOGO
网址 www.kiaic.com
PDF总页数 总5页数


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1



请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管  技术帮助

13N50

相关搜索:

10N60参数

75NF75参数参数

12N60价格

9N20场效应管中文资料

50N06中文资料

IRF730 730参数及代换

IRF3205参数及代换

CMD5950 5950

76A600V电压参数

5N60参数

7N60中文资料

8N60场效应管参数

IRF740 740参数及代换

20N50价格

IRF640 640参数及代换

47A 600V参数范围

100A 500V参数