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20N50现货供应商 KIA20N50 PDF 20N50参数详细资料-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-01-19 

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1、20N50型号描述

KIA20n50h N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源功率因数校正。


2、20N50产品参数

产品型号:KIA 20N50

漏极至源极电压(VDSS):500V

栅源电压(VGSS):±30V

漏极电流 (连续)(lD):20A

耗散功率(PD):41W/0.33W/℃

工作温度:+150/℃

击穿电压温度:0.5V/℃

输入电容:VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz

上升时间:VDD=250V,ID=20A,RG=25Ω

封装形式:TO-220F、TO-247、TO-3P


3、20N50产品特征

RDS(on)= 0.21Ω@ V GS = 10v

Lowgate charge ( typical 70nC)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力


4、20N50产品规格


20N50(20A 500V)
产品编号 KIA20N50/C/HF/HH/HM
产品工艺 kia20n50h N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源功率因数校正。
沟道 N沟道MOSFET
特征

RDS(on)= 0.21Ω@ V GS = 10v

Lowgate charge ( typical 70nC)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力

适用范围 主要适用于高电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源功率因数校正
封装形式 TO-220F、TO-247、TO-3P
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厂家 KIA 原厂家
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网址 www.kiaic.com
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联系方式:邹先生

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