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100N03A供应商 KIA100N03A PDF文件 100N03A参数资料-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-01-23 

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100N03A参数概述

KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对的阻力,提供优越的。

开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源,有源功率因数校正。基于半桥拓扑。


特征:

RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V

dv / dt的能力提高

快速开关

绿色环保


参数:

漏源电压(vdss):30V

栅源电压(vgss):±20V

连续漏电流:(ld):90A

脉冲漏极电流:360A

雪崩电流:50A

雪崩能量:125mJ

耗散功率(pd):88W

热电阻:60℃/W

漏源击穿电压:30V

栅极阈值电压(min):1.2V

温度系数:-5mV/℃



KIA100N03A(90A 30V)
产品编号

100N03A/AB/AD/AP/AU

产品工艺 KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对的阻力,提供优越的。
产品特征


RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V

dv / dt的能力提高

快速开关

绿色环保

适用范围 适用于高效率开关电源,有源功率因数校正、
封装形式 TO-251、TO-252、TO-263、TO-220
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LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF总页数 总5页


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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QQ:2880195519

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