KIA 50N03特征
先进沟槽加工技术
超低电阻高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
应用参数：
VDSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A
Vds=30V
RDS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
RDS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
产品名称：KIA 50N03
FET极性：N沟道
漏源电压(vdss):30V
栅源电压（vgss)：±20V
连续漏电流：（ld）：50A
脉冲漏极电流：200A
耗散功率（pd）：60W
漏源击穿电压：30V
栅极阈值电压（Max）：±100nA
封装：TO-251、TO-252、TO-220
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50N03（50A 30V）
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产品编号
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KIA50N03/AD/AU
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产品特征
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先进沟槽加工技术
超低电阻高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
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封装形式
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TO-251、TO-252、TO-220
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF总页数
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总3页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
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