深圳市可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

4N65H现货供应商 KIA4N65H PDF文件 4N65H参数资料-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-01-23 

分享到:

4N65H参数概述

这是功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对的阻力,提供优越的。


开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源,有源功率因数校正、基于半桥拓扑。


特征:

RDS(on) =2.5?@ VGS=10V

低栅极电荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt/dt能力


参数:

产品型号:KIA4N65H

极性:N沟道MOSFET

漏源电压(vdss):650V

栅源电压(vgss):±30V

连续漏电流:(ld):3.0A

脉冲漏极电流:12A

雪崩电流:210mJ

雪崩能量:5.8mJ

耗散功率(pd):58W

热电阻:110℃/W

漏源击穿电压:650V

温度系数:0.65V/℃

栅极阈值电压(min):100nA



4N65H(4A 650V
产品编号 KIA4N65/H/HD/HF/HU
FET极性 N沟道
产品工艺

功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对的阻力,提供优越的。

产品特征

RDS(on) =2.5??@ V GS =10V

低栅极电荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt/dt能力

适用范围 开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源,有源功率因数校正、基于半桥拓扑。
封装形式 TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
PDF文件 【直接在线预览】
LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF总页数 总5页数

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”


长按二维码识别关注