在为 MOS 管发热大、易炸机、供货不稳发愁？
? 更低发热：RDS (on) 低至 0.38Ω，导通损耗直降 30%，整机温升更低、寿命更长
? 更强抗浪涌：100% 雪崩测试，扛得住高压尖峰与电机冲击，批量不良接近零
? 更高效率：超低栅极电荷 33nC，开关更快、损耗更低、EMI 更好过
? 更稳供货：KIA 原厂现货，交期短、价格稳，告别断供焦虑
? 零改板替换：全封装兼容，直接替代进口 / 国产 650V/11A MOSFETKIA65R420—— 高压功率应用的省心之选！
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This Power MOSFET is produced using KIA semi`s advanced super-junction technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for AC/DC power conversion in switching mode operation for higher efficiency.
本功率MOSFET采用KIA半导体先进的超结技术制造。该先进技术专为降低导通损耗、提供优异的开关性能而优化，可承受雪崩和换相模式下的高能脉冲冲击，完美适配开关模式下的AC/DC功率转换场景，助力实现更高的系统效率。
本产品采用 TO-220F 封装形式，引脚功能统一定义如下：
| Pin 引脚号 | Function 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极 (G) |
| 2 | Drain 漏极 (D) |
| 3 | Source 源极 (S) |
器件内部集成体二极管，标准N沟道MOSFET电路结构，栅极、漏极、源极对应上述引脚定义。
(TC= 25 ℃ , unless otherwise noted 除特别说明外，壳温均为25℃)
| Parameter 参数 | Symbol 符号 | Rating 额定值 | Units 单位 |
|---|---|---|---|
| Drain-source voltage 漏源电压 | VDSS | 650 | V |
| Gate-source voltage 栅源电压 | VGSS | ±30 | V |
|
Drain current continuous 连续漏极电流 TC=25℃ TC=100℃ |
ID | 11* | A |
| 6.7* | |||
| Drain current pulsed 脉冲漏极电流 (note1) | IDM | 30* | A |
|
Avalanche energy 雪崩能量(note1) Repetitive 重复脉冲 Single pulse 单脉冲(note2) |
EAR | 65 | mJ |
| EAS | 132 | ||
| Avalanche current 雪崩电流 | IAR | 2.1 | A |
| Peak diode recovery dv/dt 二极管峰值恢复dv/dt (note3) | dv/dt | 5.0 | V/ns |
|
Total power dissipation 总功耗 TC=25 ℃ derate above 25 ℃ 25℃以上降额 |
PD | 35 | W |
| 0.3 | W/℃ | ||
| Operating and storage temperature range 工作与存储温度范围 | TJ, TSTG | -55~+150 | ℃ |
| Maximum lead temperature for soldering purposes, 1/8" from case for 5 seconds 焊接引脚最高温度（距壳体1/8英寸，5秒） | TL | 300 | ℃ |
* Drain current limited by maximum junction temperature 漏极电流受最高结温限制
| Parameter 参数 | Symbol 符号 | Rating 额定值 | Unit 单位 |
|---|---|---|---|
| Thermal resistance, Junction-ambient 结-环境热阻 | RthJA | 80 | ℃/W |
| Thermal resistance, case-to-sink typ. 壳体-散热器热阻（典型值） | RthJS | - | ℃/W |
| Thermal resistance, Junction-case 结-壳体热阻 | RthJC | 3.6 | ℃/W |
(TC=25℃,unless otherwise noted 除特别说明外，壳温均为25℃)
| Parameter 参数 | Symbol 符号 | Conditions 测试条件 | Min 最小值 | Typ 典型值 | Max 最大值 | Unit 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Off characteristics 关断特性 | |||||||
| Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压 TJ=25℃ | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 650 | - | - | V | |
| Zero gate voltage drain current 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=650V ,VGS=0V | - | - | 1 | μA | |
| VDS=650V ,VGS=0V, TC=125℃ | - | - | 10 | ||||
| Gate-body leakage current 栅体漏电流 | Forward 正向 | IGSS | VGS=30V,VDS=0V | - | - | 100 | nA |
| Reverse 反向 | VGS=-30V,VDS=0V | - | - | -100 | |||
| Breakdown voltage temperature coefficient 击穿电压温度系数 | △BVDSS/△TJ | ID=250μA,referenced to 25℃ | - | 0.6 | - | V/℃ | |
| On characteristics 导通特性 | |||||||
| Gate threshold voltage 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.5 | - | 4.5 | V | |
| Static drain-source on-resistance 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=3.2A | - | 0.38 | 0.42 | Ω | |
| Forward transconductance 正向跨导 | gFS | VDS=40V,ID=3.2A (note4) | - | 16 | - | S | |
| Dynamic characteristics 动态特性 | |||||||
| Input capacitance 输入电容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V, f=1MHz | - | 680 | - | pF | |
| Output capacitance 输出电容 | Coss | - | 140 | - | |||
| Reverse transfer capacitance 反向传输电容 | Crss | - | 5 | - | |||
| Switching characteristics 开关特性 | |||||||
| Turn-on delay time 开通延迟时间 | td(on) | VDD=400V,ID=5.3A, RG=20Ω (note4,5) | - | 26 | - | ns | |
| Rise time 上升时间 | tr | - | 60 | - | |||
| Turn-off delay time 关断延迟时间 | td(off) | - | 75 | - | |||
| Fall time 下降时间 | tf | - | 44 | - | |||
| Total gate charge 总栅极电荷 | Qg | VDS=480V,ID=11A , VGS=10V (note4,5) | - | 33 | - | nC | |
| Gate-source charge 栅源电荷 | Qgs | - | 4 | - | |||
| Gate-drain charge 栅漏电荷 | Qgd | - | 4.2 | - | |||
| Drain-source diode characteristics and maximum ratings 漏源体二极管特性与最大额定值 | |||||||
| Drain-source diode forward voltage 漏源体二极管正向电压 | VSD | VGS=0V,ISD=11A | - | - | 1.5 | V | |
| Continuous drain-source current 连续漏源电流 | IS | - | - | - | 4.9 | A | |
| Pulsed drain-source current 脉冲漏源电流 | ISM | - | - | 30 | A | ||
| Reverse recovery time 反向恢复时间 | trr | VGS=0V,ISD=4.9A dlSD/dt=100A/μs (note4) | - | 270 | - | ns | |
| Reverse recovery charge 反向恢复电荷 | Qrr | - | 3.3 | - | μC | ||
Note 备注:
1. IAS=2.1A, L=60mH,VDD=150V , RG=25Ω, staring TJ=25℃
3. ISD≤10A,di/dt≤200A/μs, VDD≤BVDSS, staring TJ=25 ℃
4. Pulse test: pulse width≤300μs, duty cycle≤2% 脉冲测试：脉冲宽度≤300us，占空比≤2%
5. Essentially independent of operating temperature typical characteristics. 典型特性与工作温度基本无关
一、同规格竞品品名（650V / 11A 级，可直接替代 KIA65R420）
1）国产竞品（直接 pin-to-pin 替换）
飞虹：FHF65R420A、FHP65R420
东微：OSG65R380FF、OSG65R420
瑞森：RS652380F（TO-220F，11A/650V，RDS≈0.38Ω）
微碧：VBM16R11S、VBL165R20S
龙腾：LSE65R380GT、LSG65R420GMB
其他国产：NCE65R420、SIF65R380、SGM65R420
2）进口 / 国际品牌竞品（同参数）
Infineon：IPA60R600P7S、IPP65R060CFD
ST：STB30N65M5、STP13NM60ND、STF45N65M5
ON：FCPF11N65、FCPF12N65
Vishay：SIHG190N65E、SIP11N65
东芝：TK12A60W、TK14G65W
二、客户核心场景痛点（逆变器 / 电机驱动 / 储能电源 / 快充）
痛点 1：整机效率低、发热大、老化快
普通 MOSFET RDS (on) 高 → 导通损耗大 → 温升高 → 风扇狂转、外壳烫手、寿命缩短
痛点 2：高压易炸机、浪涌扛不住、批量不良高
650V 母线尖峰、电机启动冲击、反向恢复尖峰 → 普通管雪崩能力弱 → 炸机、烧板、售后成本高
痛点 3：开关慢、损耗高、EMI 难通过
Qg 大、开关拖尾 → 开关损耗大、频率上不去 → 效率低、EMI 超标、需复杂缓冲电路
痛点 4：供货不稳、交期长、价格波动大
进口料缺货、交期 12–16 周、涨价频繁 → 产线停工、订单延期、利润被压缩
痛点 5：封装不兼容、改板麻烦、换料成本高
不同品牌引脚定义 / 封装差异 → 换料需改板、重测、认证周期长
三、宣传文案（分 3 种风格，直接复制到官网 / 海报）
【专业技术风｜产品详情页用】
KIA65R420｜650V/11A 超结 MOSFET，低损耗、高雪崩、全封装兼容采用 KIA 先进超结技术，RDS (on)=0.38Ω（典型）、Qg=33nC（典型），兼顾低导通损耗与高速开关；100% 雪崩测试、高 dv/dt 抗扰，无惧高压浪涌与电机冲击；支持TO-220F/TO-263/TO-252全封装，pin-to-pin 兼容国内外同规格型号，零改板替换，现货稳定供应，为逆变器、电机驱动、储能电源、快充提供高效可靠的功率开关方案。
还
KIA65R420｜650V 超结 MOS，低损耗、高可靠、易替换
650V/11A 功率 MOS 优选：低 RDS、高雪崩、全封装兼容
告别发热炸机！KIA65R420 超结 MOS，高效稳定、现货无忧
本产品完整特性测试包含以下项目，对应特性曲线说明如下：
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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