KIA4590A 900V6A MOS管|适配器充电器专用现货

一、KIA4590A 完整替代竞品清单（900V/6A/TO-220/TO-220F）

1. 国际品牌直接替代（Pin to Pin 兼容）

英飞凌：FQP6N90C、FQA6N90C

意法 ST：STP6NK90Z、STP6NK90ZFP、STB6NK90ZT4

ON 安森美：NDF6N90、NTGF6N90

Vishay 威世：SUP6N90、SIHP6N90

东芝：TK6A90E、2SK4005

2. 国产品牌同参数替代

新洁能：NCE690F、NCE6N90

华润微：CR6N90、CRS6N90

士兰微：SVT6N90、SL6N90

微碧：VBM6N90、VBL6N90

东微 / 瑞森 / 飞虹：OSG6N90、RS6N90、FHP6N90

KIA4590A 900V/6A 高压 MOS 管｜适配器 / 充电器 / 待机电源专用 零改板替代

还在为高压电源炸管、发热大、效率不达标、供货不稳发愁？KIA4590A 专为适配器、充电器、

开关电源待机电源打造，900V 高耐压 + 6A 大电流 + 1.6Ω 低内阻 + 快速恢复体二极管，完美解决小功率高压电源的四大核心痛点：

1. 适配器 / 充电器场景（最核心）

痛点：高压尖峰击穿、发热严重、温升超标、体积受限

? 900V 足额耐压：无惧 AC-DC 母线高压尖峰，杜绝炸管击穿

? 1.6Ω 低导通电阻：导通损耗更低，温升下降明显，散热更轻松

? 快速恢复体二极管：反向恢复干净，EMI 更好过，无需额外缓冲电路

? TO-220F 绝缘封装：安全不短路，小体积电源也能放心用

2. 开关电源 / 待机电源场景

痛点：待机损耗高、效率低、长期工作不稳定

? 超低栅极电荷 Qg=38nC：开关损耗小，整机效率提升更明显

? 低漏电流 I_DSS≤1μA：待机功耗更低，轻松满足六级能效

? 150℃宽温稳定：7×24 小时连续工作不衰减，可靠性拉满

? RoHS 无铅环保：全球认证齐全，出口产品无忧

3. 替代升级场景（客户最关心）

痛点：进口贵、交期长、国产参数虚标、一致性差

? Pin to Pin 完美兼容：直接替换 FQP6N90/STP6NK90Z 等，零改板、零重测

? 参数实打实不虚标：RDS (on)=1.6Ω 典型值，6A 连续电流足额不虚标

? 全批次品控稳定：一致性好，量产不翻车，售后成本大幅降低

? 现货稳定 + 性价比高：告别进口断供涨价，成本直降 30%+

三、简短营销口号（海报 / Banner 用）

KIA4590A｜900V 高压 MOS 管，适配器 / 充电器稳用之选

不炸管、低发热、高效率｜KIA4590A 高压电源专用 MOS

900V/6A 足额参数，直接替代进口，零改板更省心

小功率高压电源优选：耐压足、损耗低、供货稳

KNF4590A

1. Features 产品特性

• 漏源导通电阻 R_DS(ON)=1.6Ω(典型值) @ V_GS=10V
• RoHS Compliant 符合RoHS环保指令，无铅环保
• Low Gate Charge Minimize Switching Loss 低栅极电荷，有效降低开关损耗
• Fast Recovery Body Diode 内置快速恢复体二极管

2. Applications 应用场景

• Adaptor 适配器
• Charger 充电器
• SMPS Standby Power 开关电源待机电源

3. Symbol 符号与引脚配置

本产品提供两种封装形式：TO-220、TO-220F，引脚功能统一定义如下：

器件内部集成体二极管，标准N沟道MOSFET电路结构，支持常规开关电源、适配器等电路应用。

4. Ordering Information 订购信息

5. Absolute maximum ratings 绝对最大额定值

(T_C=25℃ unless otherwise noted 除特别说明外，壳温均为25℃)

Caution: Stresses greater than those listed in the "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device. 注意：超过上述绝对最大额定值可能导致器件永久损坏。

6. Thermal characteristics 热特性

7. Electrical characteristics 电气特性

(T_J=25℃ unless otherwise noted 除特别说明外，结温均为25℃)

Note 备注:
1) T_J=+25℃ to +150℃
2) Pulse width≤380us; duty cycles≤2% 脉冲测试：脉冲宽度≤380us，占空比≤2%

8. Typical operating characteristics 典型工作特性

本产品完整特性测试包含以下项目，对应特性曲线说明如下：

• Figure 1. Maximum Safe Operating Area 最大安全工作区曲线
• Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature 连续漏极电流随壳温变化曲线
• Figure 3.1. Maximum Power Dissipation vs Case Temperature (TO-220F) TO-220F功耗随壳温变化曲线
• Figure 3.2. Max. Power Dissipation vs Case Temperature (TO-220) TO-220功耗随壳温变化曲线
• Figure 4. Typical Output Characteristics 典型输出特性曲线
• Figure 5. Maximum Transient Thermal Impedance 最大瞬态热阻抗曲线
• Figure 6. Peak Current Capability 峰值电流能力曲线
• Figure 7. Typical Transfer Characteristics 典型转移特性曲线
• Figure 8. Typical Drain to Source ON Resistance vs Gate Voltage and Drain Current 导通电阻随栅极电压、漏极电流变化曲线
• Figure 9. Typical Drain to Source ON Resistance vs Drain Current 导通电阻随漏极电流变化曲线
• Figure 10. Typical Drain to Source ON Resistance vs Junction Temperature 导通电阻随结温变化曲线
• Figure 11. Typical Threshold Voltage vs Junction Temperature 阈值电压随结温变化曲线
• Figure 12. Typical Breakdown Voltage vs Junction Temperature 击穿电压随结温变化曲线
• Figure 13. Capacitance vs Vds 电容随漏源电压变化曲线
• Figure 14. Typical Gate Charge vs Gate to Source Voltage 栅极电荷随栅源电压变化曲线
• Figure 15. Typical Body Diode Transfer Characteristics 体二极管转移特性曲线
• Figure 16. Unclamped Inductive Switching Capability 无钳位感性开关能力曲线

9. Test Circuits and Waveforms 测试电路与波形

本产品完整测试电路与波形包含以下项目：

• Fig.1.1 Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit 二极管反向恢复dv/dt测试电路
• Fig.1.2 Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms 二极管反向恢复dv/dt测试波形
• Fig.2.1 Switching Test Circuit 开关特性测试电路
• Fig.2.2 Switching Waveforms 开关特性测试波形
• Fig.3.1 Gate Charge Test Circuit 栅极电荷测试电路
• Fig.3.2 Gate Charge Waveform 栅极电荷测试波形
• Fig.4.1 Unclamped Inductive Switching Test Circuit 无钳位感性开关测试电路
• Fig.4.2 Unclamped Inductive Switching Waveforms 无钳位感性开关测试波形

联系方式：邹先生

座机：0755-83888366-8022

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