KIA KNX2708A 80V 160A MOSFET
卖点及替代竞品一、核心卖点（适配客户真实使用领域）
1. 高功率承载，适配大功率场景
80V耐压、160A连续 drain 电流（Tc=25℃），脉冲电流可达640A，单脉冲雪
崩能量1100mJ，轻松应对大功率设备运行需求，杜绝电流过载、电压击穿问
题，适配高功率DC/DC转换器、UPS逆变器等场景。
2. 低损耗高效，降低设备运行成本
采用专有新沟槽技术，Rds(ON)典型值仅4.0mΩ（@VGS=10V，ID=24A）
，低栅极电荷设计，大幅降低开关损耗和导通损耗；正向跨导达130S，开关响应
迅速，提升设备能效，减少能耗浪费，适配对能效要求高的同步整流场景。
3. 高可靠性，适配严苛工况
支持-55℃~175℃宽温运行，峰值二极管恢复dv/dt达5.0V/ns，100%适配高低
温、高电压波动等严苛工业环境；快恢复体二极管设计，抗干扰能力强，避免设备运
行中出现故障，适配工业级UPS、大功率电源设备。
4. 多封装可选，适配多样设计需求
提供TO-220、TO-263两种封装（对应型号KNP2708A、KNB2708A），管脚定
义清晰（3脚/4脚适配不同安装需求），可直接匹配现有PCB设计，无需改板，适
配不同体积、安装空间的设备设计，兼顾通用性和灵活性。
5. 高性价比，国产替代优选
KIA原厂品质，参数稳定，价格优于进口同规格产品，交期稳定；支持批量供货，
提供完善技术支持，可直接替代进口竞品，降低采购成本，适配追求高性价比的工业、
电源领域客户。
二、适配客户使用领域
高 efficiency DC/DC转换器：低损耗、快开关特性，提升转换器能效，
适配大功率电源转换场景（如工业电源、服务器电源）。
同步整流：快恢复体二极管、低导通电阻，减少整流损耗，适配充电器、
适配器等需要高效整流的设备。
UPS逆变器：高电流承载、宽温运行、高雪崩能力，适配UPS设备的大功率逆变需
求，保障断电时稳定供电。
工业大功率设备：160A大电流、80V耐压，适配工业电机驱动、大功率控制器等场景，
稳定可靠。
新能源相关设备：宽温、低损耗特性，适配新能源充电桩、储能设备的电源管理模块
三、KNX2708A 竞品替代对标表（同规格可直接替换，无需改板）
110A（Tc=25℃）
替代型号
品牌
Vds（耐压）
Id（连续电流）
Rds(ON)@10V（典型值）
封装
核心优势
适配场景
KIA KNX2708A（原型号）
KIA
80V
160A（Tc=25℃）
4.0mΩ
TO-220、TO-263
低损耗、高雪崩能量、多封装、高性价比
DC/DC转换器、同步整流、UPS逆变器
IRF3205
IR（国际整流器）
55V（可兼容80V以下场景）
8.0mΩ
TO-220
进口品质、稳定性高、市场认可度高
中大功率DC/DC、电机驱动（80V以下场景）
IRF3205
Fairchild（仙童）
80V
120A（Tc=25℃）
5.0mΩ
TO-220
快开关、低栅极电荷、抗干扰强
UPS逆变器、同步整流、大功率电源
NCE80H160
新洁能（国产）
80V
160A（Tc=25℃）
4.5mΩ
TO-220、TO-263
国产高性价比、参数匹配度高、交期稳定
完全替代KNX2708A，适配所有原型号场景
SM80160
矽微（国产）
80V
160A（Tc=25℃
4.2mΩ
TO-220、TO-263
低损耗、宽温运行、管脚完全兼容
DC/DC转换器、UPS逆变器、工业大功率设备
AP80N160（铨力）
铨力（国产）
80V
160A（Tc=25℃）
4.8mΩ
TO-220
价格低廉、批量供货稳定、适配民用工业场景
同步整流、中大功率电源、民用设备
IPD80N160P7（英飞凌）
英飞凌（进口）
80V
160A（Tc=25℃）
3.8mΩ
TO-220
车规级品质、低损耗、高可靠性
高端UPS、新能源设备、严苛工业场景
| Pin | Function |
|---|---|
| 1 | Gate |
| 2 | Drain |
| 3 | Source |
| 4 (TO-263) | Drain |
| Part Number | Package | Brand |
|---|---|---|
| KNP2708A | TO-220 | KIA |
| KNB2708A | TO-263 | KIA |
| Symbol | Parameter | Rating | Unit |
|---|---|---|---|
| VDSS | Drain-to-Source Voltage | 80 | V |
| VGSS | Gate-to-Source Voltage | ±20 | V |
| ID | Continuous Drain Current (TC=25℃) | 160 | A |
| ID @ TC=100℃ | Continuous Drain Current @ TC=100℃ | 80 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current at VGS=10V | 640 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy | 1100 | mJ |
| dv/dt | Peak Diode Recovery dv/dt | 5.0 | V/ns |
| PD | Power Dissipation | 313 | W |
| - | Derating Factor above 25℃ | 2.08 | W/℃ |
| TL | Maximum Temperature for Soldering (Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10 seconds) | 300 | ℃ |
| TPAK | Maximum Temperature for Soldering (Package Body for 10 seconds) | 260 | ℃ |
| TJ&TSTG | Operating and Storage Temperature Range | -55 to 175 | ℃ |
Caution: Stresses greater than those listed in the "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device.
| Symbol | Parameter | Rating | Unit |
|---|---|---|---|
| RθJC | Thermal Resistance, Junction-to-Case | 0.48 | ℃/W |
| RθJA | Thermal Resistance, Junction-to-Ambient | 62 | ℃/W |
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BVDSS | Drain-to-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 80 | - | - | V |
| IDSS | Drain-to-Source Leakage Current | VDS=80V, VGS=0V | - | - | 5 | uA |
| VDS=64V, VGS=0V, TJ=125℃ | - | - | 100 | uA | ||
| IGSS | Gate-to-Source Leakage Current | VGS=+20V, VDS=0V | - | - | +100 | nA |
| VGS=-20V, VDS=0V | - | - | -100 | nA |
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RDS(ON) | Static Drain-to-Source On-Resistance | VGS=10V, ID=24A | - | 4.0 | 4.8 | mΩ |
| VGS(TH) | Gate Threshold Voltage | VDS=VGS, ID=250uA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=10V, ID=80A | - | 130 | - | S |
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Ciss | Input Capacitance | VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz | - | 9300 | - | pF |
| Coss | Output Capacitance | - | 650 | - | pF | |
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | - | 260 | - | pF | |
| Rg | Gate Series Resistance | f=1.0MHz | - | 2.7 | - | Ω |
| Qg | Total Gate Charge | VDD=40V, ID=80A, VGS=0 to 10V | - | 115 | - | nC |
| Qgs | Gate-to-Source Charge | - | 40 | - | nC | |
| Qgd | Gate-to-Drain (Miller) Charge | - | 30 | - | nC |
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| td(ON) | Turn-on Delay Time | VDD=40V, ID=40A, VGS=10V, RG=10Ω | - | 50 | - | nS |
| trise | Rise Time | - | 135 | - | nS | |
| td(OFF) | Turn-Off Delay Time | - | 112 | - | nS | |
| tfall | Fall Time | - | 75 | - | nS |
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ISD | Continuous Source Current | Integral PN-diode in MOSFET | - | - | 160 | A |
| ISM | Pulsed Source Current | - | - | - | 640 | A |
| VSD | Diode Forward Voltage | IS=80A, VGS=0V | - | - | 1.2 | V |
| trr | Reverse Recovery Time | VGS=0V, IF=80A, diF/dt=100A/μs | - | 85 | - | ns |
| Qrr | Reverse Recovery Charge | - | 205 | - | nC |
Note:
[1] TJ = +25 ℃ to +175 ℃.
[2] Silicon limited current only.
[3] Package limited current.
[4] Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.
[5] Pulse width ≤380μs; duty cycle ≤2%.
联系方式：邹先生
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手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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