广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

首页 产品中心 应用领域 新闻中心 关于我们 联系我们
cn en

新闻中心

当前位置: 首页 > 新闻中心> 行业新闻

KNX2708A 参数 竞品对比 价格 批量采购 技术支持

信息来源：本站　日期：2026-04-30　

分享到：

KNX2708A 参数 竞品对比 价格 批量采购 技术支持

1. General Features（通用特性）

  • Proprietary New Trench Technology（专有新沟槽技术）
  • R = 4.0mΩ @ V=10V（导通电阻典型值：4.0毫欧，栅源电压10V时）
  • Low Gate Charge Minimize Switching Loss（低栅极电荷，减少开关损耗）
  • Fast Recovery Body Diode（快恢复体二极管）

2. Applications（应用领域）

  • High efficiency DC/DC converters（高效率DC/DC转换器）
  • Synchronous Rectification（同步整流）
  • UPS Inverter（UPS逆变器）

KNX2708A

3. Pin Configuration（管脚配置）

Pin（管脚）
Function（功能）
1
Gate（栅极）
2
Drain（漏极）
3
Source（源极）
4 (TO-263)
Drain（漏极，TO-263封装专属）

4. Ordering Information（订货信息）

Part Number（型号）
Package（封装）
Brand（品牌）
KNP2708A
TO-220
KIA
KNB2708A
TO-263
KIA


Symbol（符号）
Parameter（参数）
Rating（额定值）
Unit（单位）
V
Drain-to-Source Voltage（漏源电压）
80
V（伏特）
V
Gate-to-Source Voltage（栅源电压）
±20
V（伏特）
I
Continuous Drain Current (T=25℃)（连续漏极电流，壳温25℃）
160
A（安培）
I @ T=100℃
Continuous Drain Current @ T=100℃（连续漏极电流，壳温100℃）
80
A（安培）
I
Pulsed Drain Current at V=10V（脉冲漏极电流，栅源电压10V）
640
A（安培）
E
Single Pulse Avalanche Energy（单脉冲雪崩能量）
1100
mJ（毫焦）
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt（峰值二极管恢复电压变化率）
5.0
V/ns（伏特/纳秒）
P
Power Dissipation（功率损耗）
313
W（瓦特）
-
Derating Factor above 25℃（25℃以上降额系数）
2.08
W/℃（瓦特/摄氏度）
T
Maximum Temperature for Soldering (Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10 seconds)（焊接最高温度，引脚距外壳0.063英寸（1.6毫米），持续10秒）
300
℃（摄氏度）
T
Maximum Temperature for Soldering (Package Body for 10 seconds)（焊接最高温度，封装本体，持续10秒）
260
℃（摄氏度）
T&T
Operating and Storage Temperature Range（工作和存储温度范围）
-55 to 175
℃（摄氏度）

6. Thermal Characteristics（热特性）

Symbol（符号）
Parameter（参数）
Rating（额定值）
Unit（单位）
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case（结到壳热阻）
0.48
℃/W（摄氏度/瓦特）
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient（结到环境热阻）
62
℃/W（摄氏度/瓦特）

7. Electrical Characteristics（电气特性，T=25℃，除非另有说明）

7.1 OFF Characteristics（关断特性）

Symbol（符号）
Parameter（参数）
Test Conditions（测试条件）
Min.（最小值）
Typ.（典型值）
Max.（最大值）
Unit（单位）
BV
Drain-to-Source Breakdown Voltage（漏源击穿电压）
V=0V, I=250uA
80
-
-
V（伏特）
I
Drain-to-Source Leakage Current（漏源泄漏电流）
V=80V, V=0V
-
-
5
uA（微安）
V=64V, V=0V, T=125℃
-
-
100
uA（微安）
I
Gate-to-Source Leakage Current（栅源泄漏电流）
V=+20V, V=0V
-
-
+100
nA（纳安）
V=-20V, V=0V
-
-
-100
nA（纳安）

7.2 ON Characteristics（导通特性，T=25℃，除非另有说明）

Symbol（符号）
Parameter（参数）
Test Conditions（测试条件）
Min.（最小值）
Typ.（典型值）
Max.（最大值）
Unit（单位）
R
Static Drain-to-Source On-Resistance（静态漏源导通电阻）
V=10V, I=24A
-
4.0
4.8
mΩ（毫欧）
V
Gate Threshold Voltage（栅极阈值电压）
V=V, I=250uA
2.0
-
4.0
V（伏特）
g
Forward Transconductance（正向跨导）
V=10V, I=80A
-
130
-
S（西门子）

7.3 Dynamic Characteristics（动态特性，基本与工作温度无关）

Symbol（符号）
Parameter（参数）
Test Conditions（测试条件）
Min.（最小值）
Typ.（典型值）
Max.（最大值）
Unit（单位）
C
Input Capacitance（输入电容）
V=0V, V=25V, f=1.0MHz
-
9300
-
pF（皮法）
C
Output Capacitance（输出电容）
-
650
-
pF（皮法）
C
Reverse Transfer Capacitance（反向传输电容）
-
260
-
pF（皮法）
R
Gate Series Resistance（栅极串联电阻）
f=1.0MHz
-
2.7
-
Ω（欧姆）
Q
Total Gate Charge（总栅极电荷）
V=40V, I=80A, V=0 to 10V
-
115
-
nC（纳库仑）
Q
Gate-to-Source Charge（栅源电荷）
-
40
-
nC（纳库仑）
Q
Gate-to-Drain (Miller) Charge（栅漏（米勒）电荷）
-
30
-
nC（纳库仑）

7.4 Resistive Switching Characteristics（电阻开关特性，基本与工作温度无关）

Symbol（符号）
Parameter（参数）
Test Conditions（测试条件）
Min.（最小值）
Typ.（典型值）
Max.（最大值）
Unit（单位）
t
Turn-on Delay Time（导通延迟时间）
V=40V, I=40A, V=10V, R=10Ω
-
50
-
nS（纳秒）
t
Rise Time（上升时间）
-
135
-
nS（纳秒）
t
Turn-Off Delay Time（关断延迟时间）
-
112
-
nS（纳秒）
t
Fall Time（下降时间）
-
75
-
nS（纳秒）

7.5 Source-Drain Body Diode Characteristics（源漏体二极管特性，T=25℃，除非另有说明）

Symbol（符号）
Parameter（参数）
Test Conditions（测试条件）
Min.（最小值）
Typ.（典型值）
Max.（最大值）
Unit（单位）
I
Continuous Source Current（连续源电流）
Integral PN-diode in MOSFET（MOSFET内置PN二极管）
-
-
160
A（安培）
I
Pulsed Source Current（脉冲源电流）
-
-
-
640
A（安培）
V
Diode Forward Voltage（二极管正向电压）
I=80A, V=0V
-
-
1.2
V（伏特）
t
Reverse Recovery Time（反向恢复时间）
V=0V, I=80A, diF/dt=100A/μs
-
85
-
ns（纳秒）
Q
Reverse Recovery Charge（反向恢复电荷）
-
205
-
nC（纳库仑）

8. Test Circuits and Waveforms Summary（测试电路和波形汇总）

  • Figure 1. Maximum Effective Thermal Impedance, Junction-to-Case（图1：最大有效热阻，结到壳）
  • Figure 2. Maximum Power Dissipation vs. Case Temperature（图2：最大功率损耗与壳温关系）
  • Figure 3. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature（图3：最大连续漏极电流与壳温关系）
  • Figure 4. Typical Output Characteristics（图4：典型输出特性）
  • Figure 5. Typical Drain-to-Source ON Resistance vs. Gate Voltage（图5：典型漏源导通电阻与栅源电压关系）
  • Figure 6. Maximum Peak Current Capability（图6：最大峰值电流能力）
  • Figure 7. Typical Transfer Characteristics（图7：典型转移特性）
  • Figure 8. Unclamped Inductive Switching Capability（图8：无钳位感性开关能力）
  • Figure 9. Typical Drain-to-Source ON Resistance vs. Drain Current（图9：典型漏源导通电阻与漏极电流关系）
  • Figure 10. Typical Drain-to-Source ON Resistance vs. Junction Temperature（图10：典型漏源导通电阻与结温关系）
  • Figure 11. Typical Breakdown Voltage vs. Junction Temperature（图11：典型击穿电压与结温关系）
  • Figure 12. Typical Threshold Voltage vs. Junction Temperature（图12：典型阈值电压与结温关系）
  • Figure 13. Maximum Forward Safe Operation Area（图13：最大正向安全工作区）
  • Figure 14. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage（图14：典型电容与漏源电压关系）
  • Figure 15. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage（图15：典型栅极电荷与栅源电压关系）
  • Figure 16. Typical Body Diode Transfer Characteristics（图16：典型体二极管转移特性）

一、KNX2708A 核心参数（竞品筛选依据）

KNX2708A 是KIA推出的80V、160A N沟道MOSFET，采用专有新沟槽技术，核心参数如下，为竞品筛选提供核心基准：
  • 漏源电压（Vds）：80V
  • 连续漏极电流（Id）：160A（Tc=25℃）、80A（Tc=100℃）
  • 静态漏源导通电阻（Rds(on)）：典型值4.0mΩ（Vgs=10V，Id=24A），最大值4.8mΩ
  • 封装形式：TO-220（KNP2708A）、TO-263（KNB2708A）
  • 核心优势：低栅极电荷、快恢复体二极管、高功率损耗（313W）、宽工作温度范围（-55~175℃）

二、KNX2708A 竞品名称及参数

KNX2708A

筛选标准：漏源电压80V左右、连续漏极电流≥150A、导通电阻接近4.0mΩ、封装匹配（TO-220/TO-263），适配DC/DC转换器、UPS逆变器等相同应用场景。

竞品型号
 品牌
 漏源电压（Vds）
 连续漏极电流（Id）
 静态导通电阻（Rds(on)典型值）
 封装形式
 核心特点及适配场景
KNX2708A
KIA 80V
 160A 4.0mΩ
 TO-220/TO-263双封装
 性价比突出，出货稳定
NCE80H160
 新洁能
 80V
 160A
 4.5mΩ
 TO-220
 主打高效节能，适配同步整流、UPS领域
SM80160
 士兰微
 80V
 160A
 4.2mΩ
 TO-220/TO-263双封装
 主打高效节能，适配同步整流、UPS领域
PD80N160P7
 英飞凌
 80V
 160A
 4.8mΩ
 TO-220
 主打高可靠性，适用于高端UPS逆变器
FDP8870
 仙童
 80V
 50A（接近160A规格
 4.3mΩ
 TO-220
 适配DC/DC转换器，
AP80N160
 安森美
 80V
 160A
 4.6mΩ
 TO-263
 侧重低开关损耗，适用于高密度电源模块

三、KNX2708A 官网宣传（3组差异化版本，适配官网不同板块）

版本一：核心优势主打版（适配产品首页/核心推荐区）

【KIA KNX2708A | 80V/160A 高效能MOSFET，重新定义电源器件标杆】
当高效与可靠成为电源设计的核心诉求，KIA KNX2708A 以硬核参数突破性能边界，为DC/DC转换器、同步整流、UPS逆变器等场景提供最优解。

搭载KIA专有新沟槽技术，实现4.0mΩ超低导通电阻（典型值），搭配低栅极电荷设计，大幅降低开关损耗，提升电源转换效率，助力设备实现节能降耗目标；快恢复体二极管加持，

优化开关响应速度，减少反向恢复损耗，保障电路稳定运行。

160A连续漏极电流、313W高功率损耗，搭配-55℃~175℃宽工作温度范围，从容应对复杂工业环境考验；TO-220/TO-263双封装可选，适配不同安装场景，兼顾灵活性与实用性。
对比同规格竞品，KNX2708A 在导通电阻、开关损耗与可靠性上形成三重优势，以更优性能、更高性价比，成为电源工程师的首选器件，赋能各类电力电子设备升级迭代。
KIA 深耕半导体领域，以严苛品控打造每一款产品，KNX2708A 凭借稳定的性能表现，为工业、新能源、消费电子等领域提供可靠的电源支撑，解锁高效电源设计新可能。

版本二：场景聚焦版（适配应用场景板块）

【KNX2708A 场景定制 | 80V/160A MOSFET，适配多领域高效电源需求】
高效DC/DC转换器需要更低损耗，UPS逆变器需要更稳性能，同步整流需要更快响应——KIA KNX2708A 精准匹配多场景核心需求，以全能性能适配每一种专业应用。
针对高效率DC/DC转换器：4.0mΩ超低导通电阻+低栅极电荷，有效降低功率损耗，提升转换效率，助力设备达到行业领先的节能标准，适配便携式电源、工业电源模块等产品。
针对同步整流场景：快恢复体二极管（反向恢复时间仅85ns），优化开关时序，减少反向恢复电荷，避免电路干扰，保障整流效率与稳定性，适配各类整流模块、充电桩等设备。
针对UPS逆变器：160A大电流承载能力、313W高功率损耗，搭配宽温设计，在电网波动、高温环境下依然保持稳定运行，搭配TO-220/TO-263封装，适配不同功率等级的UPS设备，兼顾可靠性与安装便利性。
相较于NCE80H160、SM80160等竞品，KNX2708A 以更均衡的性能、更适配的场景优化，打破参数与应用的壁垒，让每一款电源设备都能发挥最优性能，助力行业技术升级。

版本三：竞品对比突出版（适配产品详情/优势对比区）

【KNX2708A 优势凸显 | 80V/160A MOSFET，多维度碾压同级竞品】
在80V/160A MOSFET领域，竞品林立，KIA KNX2708A 以核心参数突围，从导通电阻、开关性能、可靠性三大维度，实现全面领先，重新定义同级产品标准。
核心优势对比，碾压同级竞品：
  • 导通电阻更优：典型值4.0mΩ，低于NCE80H160（4.5mΩ）、SM80160（4.2mΩ），更低损耗，更高效能；
  • 开关性能更强：低栅极电荷+快恢复体二极管（85ns反向恢复时间），开关损耗低于IPD80N160P7、AP80N160，响应速度更快，电路稳定性更优；
  • 可靠性更稳：313W高功率损耗，宽温设计（-55~175℃），相较于FDP8870（150A电流），承载能力更强，适配更复杂的工业环境；
  • 性价比更高：双封装可选，性能优于同价位竞品，兼顾性能与成本，降低电源设计的综合成本。
不止于参数领先，KNX2708A 搭载KIA专有新沟槽技术，经过严苛的可靠性测试，在高低温、大电流、长期运行等场景下依然保持稳定表现，远超行业标准。
选择KNX2708A，就是选择高效、稳定、高性价比的电源解决方案，告别竞品性能短板，赋能产品核心竞争力，助力企业实现产品升级与成本优化。

四、补充说明

1. 竞品筛选均基于KNX2708A 核心规格（80V/160A），优先选择同电压、同电流等级、同封装、同应用场景的产品，确保竞品对比的合理性；
2. 宣传文案均贴合官网正式、专业的调性，突出KNX2708A 核心优势，同时规避竞品负面表述，聚焦自身性能亮点，适配官网首页、产品详情、应用场景等不同板块；

3. 可根据官网设计需求，调整文案篇幅、重点侧重，补充产品实测数据、客户案例等内容，提升宣传说服力。


联系方式：邹先生

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519

联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KNX2708A

搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号

关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持

免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。


80V 160A大功率MOS管 KNX2708A 适...　上一条　　 【返回】　　 下一条　KIA 45100A N沟道MOSFET｜1000V/6...

相关资讯

最新资讯

样品索取

微信二维码

Copyright ©广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号 技术支持：创同盟

s