| 工艺技术 | Advanced Planar Process（先进平面工艺） |
| 导通电阻(RDS(ON)) | 典型值380mΩ @ VGS=10V，最大值450mΩ |
| 栅极电荷特性 | Low Gate Charge Minimize Switching Loss（低栅极电荷，降低开关损耗） |
| 栅极结构 | Rugged Poly silicon Gate Structure（坚固的多晶硅栅极结构） |
| BLDC无刷直流电机驱动 | BLDC Motor Driver |
| 电焊机设备 | Electric Welder |
| 高效率开关电源 | High Efficiency SMPS |
KIA75100A（KNK75100A）是一款**1000V/24A 超高压大功率N沟道MOSFET**，采用先进平面工艺，TO-264大功耗封装，具备低内阻、低栅极电荷、超高雪崩能量、超强散热能力，专为高压工业设备、大功率电源系统设计。
产品完美解决高压设备耐压不足、发热严重、开关损耗大、可靠性低等痛点，广泛用于电焊机、BLDC无刷电机、高压开关电源、工业控制等高要求场景，性能对标国际一线品牌，是超高压MOS的优选方案。
? 1000V超高耐压 + 24A大电流，满足超高压系统需求
? 低导通电阻380mΩ，高压低损耗，发热更低
? 低栅极电荷，开关速度快，系统效率更高
? 2500mJ超高雪崩能量，抗冲击、抗损坏能力极强
? TO-264大功率封装，散热性能行业顶尖
? 坚固多晶硅栅极结构，长期工作稳定可靠
? 工作温度-55℃~150℃，工业级宽温稳定
? 符合RoHS环保标准，适配高端设备
| 品牌 | 竞品型号 | 规格匹配 | 封装 |
|---|---|---|---|
| 英飞凌 | SPA24N100 | 1000V 24A N沟道 | TO-264 |
| 意法半导体 | STP24NM100 | 1000V 24A N沟道 | TO-264 |
| 安森美 | NTNL24N100 | 1000V 24A N沟道 | TO-264 |
| 威世 | SiHP24N100 | 1000V 24A N沟道 | TO-264 |
| 东芝 | TK24A100 | 1000V 24A N沟道 | TO-264 |
| 士兰微 | SVF24N100 | 1000V 24A N沟道 | TO-264 |
| 新洁能 | NCE24TD100 | 1000V 24A N沟道 | TO-264 |
| 扬杰 | YJ24N100 | 1000V 24A N沟道 | TO-264 |
| 参数 | KIA75100A | 国际品牌竞品 | 国内品牌竞品 |
|---|---|---|---|
| 耐压 Vdss | 1000V | 1000V | 1000V |
| 连续电流 Id | 24A | 24A | 20~24A |
| 导通电阻 | 380mΩ(典型) | 400~480mΩ | 420~500mΩ |
| 雪崩能量 | 2500mJ | 2000~2300mJ | 1800~2200mJ |
| 封装 | TO-264 | TO-264 | TO-264 |
| 优势 | 内阻更低、雪崩更强、更耐用 | 价格昂贵、交期极长 | 雪崩能量偏低、一致性一般 |
| 完整型号 | 封装 | 适用场景 |
|---|---|---|
| KNK75100A | TO-264 | 电焊机、高压电源、无刷电机、工业控制 |
| 工业电焊机 / 逆变焊机设备 |
| BLDC无刷直流电机驱动 |
| 1000V超高压开关电源 |
| 大功率工业控制模块 |
| 高压逆变器、UPS不间断电源 |
| 新能源高压控制系统 |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNK75100A | TO-264 | KIA |
| 参数 | 符号 | 规格 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 (VGS=0V) | VDSS | 1000 | V |
| 栅源电压 (VDS=0V) | VGSS | ±30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 24 (Tc=25℃) | A |
| 15 (Tc=100℃) | A | ||
| 脉冲漏极电流 (VGS=10V) | IDM | 96 | A |
| 单脉冲雪崩能量 (L=0.5mH) | EAS | 2500 | mJ |
| 峰值二极管恢复dv/dt | dv/dt | 5 | V/ns |
| 耗散功率 (Tc=25℃) | PD | 650 | W |
| 25℃以上降额系数 | - | 5.44 | W/℃ |
| 焊接温度 | TL | 300 (引线1.6mm处10秒) | ℃ |
| TPAK | 260 (封装体10秒) | ℃ | |
| 工作与存储温度范围 | TJ & TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 规格 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 0.192 | ℃/W |
| 结-环境热阻 | RθJA | 55 | ℃/W |
| 参数类别 | 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 关断特性 | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 1000 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=1000V, VGS=0V | - | - | 5 | μA | |
| VDS=800V, TC=125℃ | - | - | 125 | μA | |||
| 栅源正向漏电流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| 导通特性 | 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=12A | - | 380 | 450 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=250μA | 2.5 | - | 4.5 | V | |
| 正向跨导 | gFS | VDS=25V, ID=12A | - | 18 | - | S | |
| 动态特性 | 输入电容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 7300 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 52 | - | pF | ||
| 输出电容 | Coss | - | 552 | - | pF | ||
| 栅极电荷特性 | 总栅极电荷 | Qg | VDD=500V, ID=12A, VGS=0~10V | - | 180 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 50 | - | nC | ||
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 60 | - | nC | ||
| 开关特性 | 开通延迟时间 | td(on) | VDD=500V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=12A | - | 68 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 118 | - | ns | ||
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 100 | - | ns | ||
| 下降时间 | tf | - | 110 | - | ns | ||
| 体二极管特性 | 连续源极电流 | ISD | - | - | - | 24 | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | - | - | - | 96 | A | |
| 二极管正向压降 | VSD | IS=24A, VGS=0V | - | - | 1.5 | V | |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V, IF=24A, diF/dt=100A/μs | - | 900 | - | ns | |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 2.0 | - | μC |
注：以上数据基于TA=25℃条件，完整特性曲线、测试电路及波形请参考原厂数据手册。
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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