| 导通电阻(RDS(ON)) | 典型值12mΩ @ VGS=10V，最大值16mΩ（ID=20A）；典型值16.5mΩ @ VGS=4.5V，最大值24mΩ（ID=10A） |
| 低反向传输电容 | Low Crss，降低开关损耗 |
| 开关速度 | Fast switching，支持高频PWM应用 |
| 可靠性测试 | 100% avalanche tested（100%雪崩测试） |
| 抗干扰能力 | Improved dv/dt capability，增强系统稳定性 |
| PWM控制应用 | PWM Application |
| 电源管理模块 | Power Management |
| 负载开关电路 | Load switch |
一、产品核心KIA8104A 是一款专为小型化、高效率电源系统打造的
40V/30A N沟道功率MOSFET，采用先进工艺设计，搭载超低导通电阻
、超快开关速度及100%雪崩测试保障，提供DFN3*3、DFN5*6、
TO-252三种封装可选，完美适配多场景结构需求。
针对小体积设备发热严重、开关损耗高、
可靠性不足、封装适配受限等核心痛点，
KIA8104A 以低内阻降损耗、快开关提效率、多封装解限制、
高可靠稳运行的核心优势，广泛应用于电源管理、
高频PWM控制、负载开关等领域，性价比远超同
规格竞品，是低压小体积MOSFET的优选方案。
1.规格适配
40V耐压+30A连续电流，小体积承载大功率，满足低压大电流场景需求
2.超低损耗
典型导通电阻仅12mΩ（VGS=10V），大幅降低设备发热，提升系统效率
3.超快开关
开关速度快，低反向传输电容，适配高频PWM控制应用，减少开关损耗
4. 高可靠性
100%雪崩测试合格，抗冲击、抗干扰能力强，工作温度-55℃~150℃，工业级稳定
5. 多封装可选
DFN3*3（超小型）、DFN5*6（小体积大电流）、TO-252（常规贴片），适配不同设备结构
6. 高性价比
性能对标国际一线品牌，价格更具优势，可直接替代进口同规格产品，交期稳定
三、直接竞品型号一览表（100%规格匹配）
四、KIA8104A VS 竞品核心参数对比
品牌名称
竞品型号
规格匹配（与KIA8104A一致）
封装类型
KIA
KIA8104A
40V 30A N沟道
DFN3*3/DFN5*6/TO-252
英飞凌
BSL30104
40V 30A N沟道
DFN3*3/DFN5*6/TO-252
安森美
NTD3055
40V 30A N沟道
DFN3*3/TO-252
威世
Si3443
40V 30A N沟道
DFN5*6/TO-252
东芝
TPN3004
40V 30A N沟道
DFN3*3/DFN5*6/TO-252
士兰微
SVF3004
40V 30A N沟道
DFN3*3/TO-252
新洁能
NCE8104
40V 30A N沟道
DFN3*3/DFN5*6/TO-252
扬杰
YJ3004
40V 30A N沟道
DFN3*3/TO-252
华微
HM3004
40V 30A N沟道
DFN5*6/TO-252
KIA8104A 导通电阻更低、
开关速度更快，
多封装适配性更强，
性价比远超国际品牌，
可靠性优于多数国产品牌
五、型号与封装选型表
核心参数
KIA8104A
国际品牌竞品
国内品牌竞品
核心差异优势
漏源耐压（Vdss）
40V
40V
40V
连续漏极电流（Id）
30A（Tc=25℃）
25~30A
25~30A
导通电阻（Rds(on)）
12mΩ（典型，VGS=10V）
13~18mΩ
15~22mΩ
开关速度
超快（开通延迟4ns）
快（开通延迟5~8ns）
一般（开通延迟8~12ns）
封装类型
DFN3*3/DFN5*6/TO-252
2~3种封装
2~3种封装
价格优势
高性价比，国产亲民价
价格昂贵，溢价高
价格适中，无明显优势
同等性能下，价格比国际品牌低30%+
交期
稳定，现货充足
现货供应，无需长期等待
完整型号
封装规格
核心特点
适用场景
KNG8104A
DFN3*3
超小型贴片，占用空间极小
超薄智能硬件、微型电源模块、小型消费电子
KNY8104A
DFN5*6
小体积+大电流承载，散热性佳快充适配器、移动电源、小型电机驱动
KNY8104A
常规贴片封装，兼容性强，易焊接
通用电源管理、负载开关、PWM控制设备
| 封装类型 | 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|---|
| TO-252 | 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） | |
| 3 | Source（源极） | |
| DFN3*3 / DFN5*6 | 4 | Gate（栅极） |
| 5,6,7,8 | Drain（漏极） | |
| 1,2,3 | Source（源极） |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNG8104A | DFN3*3 | KIA |
| KNY8104A | DFN5*6 | KIA |
| KND8104A | TO-252 | KIA |
| 参数 | 符号 | 规格 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 (VGS=0V) | VDSS | 40 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 30 (Tc=25℃) | A |
| 19 (Tc=100℃) | A | ||
| 脉冲漏极电流 | IDM | 120 | A |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 25 | mJ |
| 耗散功率 (Tc=25℃) | PD | 96 | W |
| 焊接温度（引脚1/8英寸处，5秒） | TL | 300 | ℃ |
| 工作与存储温度范围 | TJ & TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 规格 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 1.3 | ℃/W |
| 参数类别 | 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 关断特性 | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=40V, VGS=0V | - | - | 1 | μA | |
| 栅源正向漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| 导通特性 | 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VGS=VDS, ID=250μA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=20A | - | 12 | 16 | mΩ | |
| VGS=4.5V, ID=10A | - | 16.5 | 24 | mΩ | |||
| 栅极电阻 | RG | f=1MHz | - | 4 | - | Ω | |
| 动态特性 | 输入电容 | Ciss | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | - | 850 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 70 | - | pF | ||
| 反向传输电容 | Crss | - | 62 | - | pF | ||
| 开关特性 | 开通延迟时间 | td(on) | VGS=10V, VDS=30V, RG=4.7Ω, ID=30A | - | 4 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 8 | - | ns | ||
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 30 | - | ns | ||
| 下降时间 | tf | - | 10 | - | ns | ||
| 栅极电荷特性 | 总栅极电荷(10V) | Qg | VDS=20V, ID=30A, VGS=10V | - | 18 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 2.5 | - | nC | ||
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 5 | - | nC | ||
| 体二极管特性 | 连续漏源二极管正向电流 | IS | - | - | - | 30 | A |
| 脉冲漏源二极管正向电流 | ISM | - | - | - | 120 | A | |
| 二极管正向压降 | VSD | ISD=20A, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
注：以上数据基于Tc=25℃条件，完整特性曲线、测试电路及波形请参考原厂数据手册。
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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