SOP-8 封装 42mΩ 低阻 可直接替换 AO4403/SI4403
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品型号 | KPE4403A2 |
| 产品类型 | 双P沟道沟槽工艺MOSFET |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 核心规格 | -30V / -5.0A 双P沟道MOSFET |
| 核心特点 |
? 低导通电阻：RDS(ON)=42mΩ(典型值 @ VGS=-10V) ? 超低栅极电荷（Super low gate charge） ? 优异的Cdv/dt性能（Excellent Cdv/dt effect decline） ? 高密度沟槽工艺，满足RoHS环保要求 |
| 典型应用 |
? 同步降压转换器（Synchronous buck converter） ? 电源管理电路 ? 负载开关与电池保护应用 |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1 | S1（源极1） |
| 2 | G1（栅极1） |
| 3 | S2（源极2） |
| 4 | G2（栅极2） |
| 5 | D2（漏极2） |
| 6 | D2（漏极2） |
| 7 | D1（漏极1） |
| 8 | D1（漏极1） |
KPE4403A2 是一款采用先进沟槽工艺制造的**双P沟道增强型功率MOSFET**，专为低压电源管理、同步降压、负载开关等高精度应用设计。产品具备超低导通电阻、超低栅极电荷、优异的抗干扰特性，完全满足RoHS环保要求。
耐压 -30V，连续漏极电流 -5.0A，典型导通电阻仅 42mΩ@VGS=-10V，开关速度快、损耗极低，广泛应用于电源管理、电池保护、同步降压转换器、负载开关等高可靠性场景，SOP-8标准封装可直接兼容主流设计方案。
KPE4403A2 可直接替换国际/国内同规格竞品，实现性能升级与成本优化，是低压P沟道MOS管领域的高性价比优选方案。
| 品牌 | 竞品型号 | 规格 | 封装 | 替换关系 |
|---|---|---|---|---|
| KIA | KPE4403A2 | -30V/-5A 双P | SOP-8 | 标准型号 |
| AO | AO4403 | -30V/-6A 双P | SOP-8 | 直接替换 |
| ON | NDS3403 | -30V/-4.6A 双P | SOP-8 | 直接替换 |
| VISHAY | SI4403 | -30V/-5.7A 双P | SOP-8 | 直接替换 |
| 新洁能 | NCE4403 | -30V/-5.8A 双P | SOP-8 | 直接替换 |
| 韦尔 | WSD4403 | -30V/-5A 双P | SOP-8 | 直接替换 |
| 富鼎 | APM4403 | -30V/-5A 双P | SOP-8 | 直接替换 |
| 长电 | CJ4403 | -30V/-5A 双P | SOP-8 | 直接替换 |
| 华瑞 | CRS4403 | -30V/-5A 双P | SOP-8 | 直接替换 |
| 型号 |
VDS (V) |
ID (A) |
RDS(ON) mΩ@-10V |
封装 | 优势 |
|---|---|---|---|---|---|
| KPE4403A2 | -30 | -5.0 | 42(典型) | SOP-8 | 低阻、低电荷、性价比高 |
| AO4403 | -30 | -6.0 | 48 | SOP-8 | 电阻更高 |
| SI4403 | -30 | -5.7 | 45 | SOP-8 | 电阻略高 |
| NCE4403 | -30 | -5.8 | 46 | SOP-8 | 电阻略高 |
| NDS3403 | -30 | -4.6 | 50 | SOP-8 | 电流小、电阻高 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | -30 | V | - |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V | - |
| 连续漏极电流 | ID | -5.0 | A | Tc=25℃, VGS@-10V |
| 连续漏极电流 | ID | -3.9 | A | Tc=70℃, VGS@-10V |
| 脉冲漏极电流 | IDM | -25 | A | - |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 18.1 | mJ | - |
| 雪崩电流 | IAS | -19 | A | - |
| 总功耗 | PD | 1.5 | W | TA=25℃ |
| 工作/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ | - |
| 结到环境热阻 | RθJA | 85 | ℃/W | - |
| 结到壳热阻 | RθJC | 25 | ℃/W | - |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVOSS | VGS=0V, ID=-250uA | -30 | - | - | V |
| 击穿电压温度系数 | ΔBVOSS/ΔTJ | Reference to 25℃, ID=-1mA | - | -0.023 | - | V/℃ |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=-24V, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | 1 | μA |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=-24V, VGS=0V, TJ=55℃ | - | - | 5 | μA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250uA | -1.2 | - | -2.5 | V |
| 阈值电压温度系数 | ΔVGS(th) | VDS=VGS, ID=-250uA | - | 4 | - | mV/℃ |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-4A | - | 42 | 55 | mΩ |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-4.5V, ID=-3A | - | 64 | 78 | mΩ |
| 正向跨导 | gFS | VDS=-5V, ID=-4A | - | 10 | - | S |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=-15V, VGS=-4.5V, ID=-4A | - | 6.5 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=-15V, VGS=-4.5V, ID=-4A | - | 2.2 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=-15V, VGS=-4.5V, ID=-4A | - | 2 | - | nC |
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=-15V, RG=3.3Ω, VGS=-10V, ID=-4A | - | 2.7 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDD=-15V, RG=3.3Ω, VGS=-10V, ID=-4A | - | 8.6 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDD=-15V, RG=3.3Ω, VGS=-10V, ID=-4A | - | 40 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDD=-15V, RG=3.3Ω, VGS=-10V, ID=-4A | - | 5 | - | ns |
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz | - | 580 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz | - | 95 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz | - | 80 | - | pF |
| 连续源极电流 | Is | VG=VD=0V, Force current | - | - | -5.0 | A |
| 脉冲源极电流 | IsM | VG=VD=0V, Force current | - | - | -25 | A |
| 二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, Is=-1A, TJ=25℃ | - | - | -1.3 | V |
| 反向恢复时间 | trr | IF=-4A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ | - | 7.5 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | IF=-4A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ | - | 2.6 | - | nC |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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