| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=250uA | 1.0 | 1.5 | 2.0 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=15A | - | 4.1 | 6 | mΩ |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=10A | - | 7.0 | 10 | mΩ |
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | - | 5.8 | - | Ω |
| 正向跨导 | gfs | VDS=5V, ID=20A | - | 25 | - | S |
| 输入电容 | Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1510 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 200 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | - | 180 | - | pF |
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A | - | 9 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A | - | 40 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A | - | 90 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDD=15V, VGS=10V, RG=10Ω, ID=20A | - | 50 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=24V, VGS=10V, ID=20A | - | 34 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=24V, VGS=10V, ID=20A | - | 6 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=24V, VGS=10V, ID=20A | - | 8 | - | nC |
| 连续二极管正向电流 | Is | - | - | - | 80 | A |
| 脉冲二极管正向电流 | IsM | - | - | - | 320 | A |
| 二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, Is=20A | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V, Is=15A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ | - | 18 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | VGS=0V, Is=15A, di/dt=100A/μs, TJ=25℃ | - | 10 | - | nC |
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品型号 | KND3080B（KIA3080B） |
| 产品类型 | N-Channel Trench MOSFET（硅沟槽工艺） |
| 封装形式 | TO-252 |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 核心特点 |
? 低导通电阻：RDS(ON)=4.1mΩ(典型值 @ VGS=10V) ? 低栅极电荷（Low gate charge） ? 低输入电容（Low Ciss） ? 快速开关特性（Fast switching） |
| 典型应用 |
? PWM应用电路 ? 负载开关（Load switch） ? 电源管理（Power Management） |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 产品型号 | 封装形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KND3080B | TO-252 | KIA |
KND3080B 是一款采用先进沟槽工艺制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，具备超低导通电阻、快速开关、低栅极电荷等优异特性，专为高性能电源管理、大电流开关应用设计。
产品耐压 30V，连续漏极电流高达 80A，典型导通电阻仅 4.1mΩ，可大幅降低系统损耗、提升转换效率，广泛适用于 PWM 控制器、负载开关、电池保护、DC-DC 转换器、电机驱动等高可靠性应用场景。
KND3080B 采用工业标准 TO-252 封装，引脚定义通用，可直接替换同规格国际/国内品牌竞品，实现成本优化与性能升级双重价值，是电源与工控领域的理想选择。
| 品牌 | 竞品型号 | 规格 | 封装 | 替换关系 |
|---|---|---|---|---|
| KIA | KIA3080B | 30V 80A N | TO-252 | 完全兼容 |
| Infineon | IRL3803 | 30V 74A N | TO-252 | 直接替换 |
| Infineon | IRLHS8030 | 30V 80A N | TO-252 | 直接替换 |
| VISHAY | SI7140DP | 30V 80A N | TO-252 | 直接替换 |
| ON | NTD4960N | 30V 75A N | TO-252 | 直接替换 |
| TI | CSD16323Q5A | 30V 76A N | TO-252 | 直接替换 |
| FAIRCHILD | FDD8447 | 30V 80A N | TO-252 | 直接替换 |
| 华瑞 | CRSM3080 | 30V 80A N | TO-252 | 直接替换 |
| 新洁能 | NCE3080 | 30V 80A N | TO-252 | 直接替换 |
| 韦尔 | WSD3080 | 30V 80A N | TO-252 | 直接替换 |
| 富鼎 | APM3080 | 30V 80A N | TO-252 | 直接替换 |
| 万代 | WTD3080 | 30V 80A N | TO-252 | 直接替换 |
| 型号 |
VDS (V) |
ID (A) |
RDS(ON) mΩ@10V |
封装 | 优势 |
|---|---|---|---|---|---|
| KND3080B | 30 | 80 | 4.1(典型) | TO-252 | 低阻、低损耗、性价比高 |
| IRL3803 | 30 | 74 | 5.5 | TO-252 | 电阻更高、电流更小 |
| NCE3080 | 30 | 80 | 5.0 | TO-252 | 电阻略高 |
| WSD3080 | 30 | 80 | 4.8 | TO-252 | 电阻略高 |
| FDD8447 | 30 | 80 | 4.5 | TO-252 | 电阻略高 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 30 | V | - |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V | - |
| 连续漏极电流 | ID | 80 | A | Tc=25℃ |
| 连续漏极电流 | ID | 50 | A | Tc=100℃ |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 320 | A | - |
| 总功耗 | PD | 70 | W | Tc=25℃ |
| 总功耗 | PD | 2.8 | W | Ta=25℃ |
| 雪崩能量 | EAS | 110 | mJ | L=0.5mH, VD=24V, Tc=25℃ |
| 工作/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ | - |
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 44 | ℃/W |
| 结到壳热阻 | RθJC | 1.95 | ℃/W |
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QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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