-30V/-5.3A 50mΩ 低内阻 电源负载开关优选
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品型号 | KIA9435 |
| 产品类型 | P沟道增强型功率MOSFET |
| 品牌 | KIA (KIA Semiconductors) |
| 核心规格 | -30V / -5.3A P沟道MOSFET |
| 封装形式 | SOP-8 |
| 核心特点 |
? 低导通电阻：RDS(on)=50mΩ(典型值 @ VGS=-10V) ? 超低栅极电荷（Super low gate charge） ? 环保无铅器件（Green device available） ? 优异的Cdv/dt抑制性能（Excellent Cdv/dt effect decline） ? 高密度沟槽工艺（Advanced high cell density trench technology） ? 符合RoHS环保标准 |
| 典型应用 |
? 同步降压转换器（Synchronous buck converter） ? 电源管理模块 ? 负载开关与电池保护电路 ? 消费电子与工业控制 |
产品介绍：KIA9435是一款SOP-8封装、-30V/-5.3A高性能P沟道MOSFET，采用先进高密度沟槽工艺，具备超低导通电阻、超低栅极电荷、优异抗干扰能力，广泛用于电源管理、负载开关、电池保护、同步降压电路等场景，性能对标国际品牌，是国产替代优选方案。
核心价值：低内阻、低损耗、开关速度快、工作温度范围宽、无铅环保，满足消费电子、工业控制、便携式设备等高可靠性需求，可直接PIN对PIN替代主流9435系列型号。
| 竞品分类 | 对应型号 |
|---|---|
| 国际品牌 | AO9435、SI9435、NTD4964、AP9435 |
| 国产主流 | NCE9435、WSD9435、HY9435、CJ9435、SM9435 |
| 通用对标 | 9435全系列 P沟道SOP-8 MOS管 |
| 参数项目 | KIA9435 | AO9435 | SI9435 | NCE9435 |
|---|---|---|---|---|
| 通道类型 | P沟道 | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| 漏源电压VDS | -30V | -30V | -30V | -30V |
| 连续电流ID | -5.3A | -5.3A | -5.1A | -5.0A |
| 导通电阻 | 50mΩ | 55mΩ | 58mΩ | 60mΩ |
| 封装 | SOP-8 | SOP-8 | SOP-8 | SOP-8 |
| 产品优势 | 内阻更低、损耗更小、性能更稳 | 通用型 | 通用型 | 通用型 |
| 参数名称 | 规格值 |
|---|---|
| 产品型号 | KIA9435 |
| 通道类型 | P沟道增强型 |
| 漏源电压 VDS | -30V |
| 连续漏极电流 | -5.3A@25℃ |
| 导通电阻 RDS(on) | 50mΩ@VGS=-10V |
| 栅极阈值电压 | -1.0~-3.0V |
| 封装形式 | SOP-8 |
| 工作温度 | -55℃ ~ +150℃ |
| 同步降压转换器 | 电源管理模块 |
| 负载开关电路 | 电池保护板 |
| 消费电子设备 | 便携式电源 |
| 工业控制设备 | 汽车电子辅助系统 |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1, 2, 3 | Source（源极 S） |
| 4 | Gate（栅极 G） |
| 5, 6, 7, 8 | Drain（漏极 D） |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | -30 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流 (TA=25℃) | ID | -5.3 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | -20 | A |
| 总功耗 (TA=25℃) | PD | 2.5 | W |
| 工作/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 结到壳热阻 | RθJC | 50 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250uA | -30 | - | - | V |
| 漏源击穿电压温度系数 | ΔBVDSS/ΔTJ | 参考25℃, ID=-1mA | - | -0.023 | - | V/℃ |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=-24V, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | -1 | uA |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=-24V, VGS=0V, TJ=55℃ | - | - | -5 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250uA | -1.0 | -1.6 | -3.0 | V |
| 栅极阈值电压温度系数 | ΔVGS(th)/ΔTJ | - | - | 4 | - | mV/℃ |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=-10V, ID=-4A | - | 50 | 65 | mΩ |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=-4.5V, ID=-4A | - | 75 | 105 | mΩ |
| 正向跨导 | gFS | VDS=-15V, ID=-4.5A | - | 8 | - | S |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=-15V, VGS=-20V, ID=-5.3A | - | 12 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=-15V, VGS=-20V, ID=-5.3A | - | 2.3 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=-15V, VGS=-20V, ID=-5.3A | - | 3.1 | - | nC |
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=-15V, RG=6Ω, VGS=-10V, ID=-1A | - | 5 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDD=-15V, RG=6Ω, VGS=-10V, ID=-1A | - | 13.2 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDD=-15V, RG=6Ω, VGS=-10V, ID=-1A | - | 57 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDD=-15V, RG=6Ω, VGS=-10V, ID=-1A | - | 20 | - | ns |
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz | - | 525 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz | - | 132 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VGS=0V, VDS=-15V, F=1.0MHz | - | 70 | - | pF |
| 连续源极电流 (二极管正向) | IS | VG=VD=0V, 强制电流 | - | - | -5.3 | A |
| 脉冲源极电流 (二极管正向) | ISM | - | - | - | -20 | A |
| 源漏二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, IS=-4A, TJ=25℃ | - | - | 1.5 | V |
联系方式：邹先生
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QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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