170mΩ 低内阻 低损耗 电源 / 电机驱动优选
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品型号 | KNF7650A (TO-220F) / KNH7650A (TO-3P) |
| 产品类型 | N沟道增强型功率MOSFET |
| 品牌 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 核心规格 | 500V / 25A N沟道MOSFET |
| 封装形式 | TO-220F / TO-3P |
| 核心特点 |
? 先进平面工艺（Advanced Planar Process） ? 低导通电阻：RDS(on)=170mΩ(典型值 @ VGS=10V) ? 低栅极电荷，降低开关损耗（Low Gate Charge Minimize Switching Loss） ? 坚固多晶硅栅极结构（Rugged Poly silicon Gate Structure） |
| 典型应用 |
? 无刷直流电机驱动（BLDC Motor Driver） ? 电焊机（Electric Welder） ? 高效开关电源（High Efficiency SMPS） |
产品简介：KNF7650A（TO-220F）、KNH7650A（TO-3P）是高性能500V/25A N沟道增强型MOSFET，采用先进平面工艺，具备低导通电阻、低栅极电荷、高雪崩能量、快速开关等优势，专为大功率开关电源、无刷电机驱动、电焊机等高可靠场景设计。
核心优势：低损耗、低发热、宽温稳定运行、抗干扰能力强，工业级品质，可直接PIN脚兼容替代国际/国产同规格型号，性价比行业领先，完美满足大功率设备严苛应用需求。
| 竞品分类 | 替代型号 |
|---|---|
| 国际品牌 | IRF7650、FQP7650、STP7650、7N50、8N50 |
| 国产主流 | NCE7650、CS7650、HY7650、WND7650、YJ7650 |
| 规格对标 | 500V 25A N沟道 TO-220F/TO-3P MOS管 |
| 参数 | KNF7650A | KNH7650A | IRF7650 | FQP7650 |
|---|---|---|---|---|
| 通道类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| VDS | 500V | 500V | 500V | 500V |
| ID | 25A | 25A | 24A | 24A |
| RDS(on) | 170mΩ | 170mΩ | 180mΩ | 185mΩ |
| 封装 | TO-220F | TO-3P | TO-220 | TO-220 |
| 优势 | 内阻更低、损耗更小 | 散热更强、功率更大 | 通用款 | 通用款 |
| 参数名称 | 规格值 |
|---|---|
| 产品型号 | KNF7650A / KNH7650A |
| 通道类型 | N沟道增强型 |
| 漏源电压 VDS | 500V |
| 连续漏极电流 | 25A@25℃ |
| 导通电阻 RDS(on) | 170mΩ@VGS=10V |
| 栅极阈值电压 | 2~4V |
| 封装形式 | TO-220F / TO-3P |
| 工作温度 | -55℃ ~ +150℃ |
| 无刷直流电机驱动 | 大功率开关电源 |
| 电焊机设备 | 工业控制电源 |
| UPS不间断电源 | 电动车控制器 |
| 高频逆变设备 | 大功率照明设备 |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极 G） |
| 2 | Drain（漏极 D） |
| 3 | Source（源极 S） |
| 参数名称 | 符号 | TO-220F | TO-3P | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 500 | 500 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | ±30 | V |
| 连续漏极电流 (Tc=25℃) | ID | 25 | 25 | A |
| 连续漏极电流 (Tc=100℃) | ID | 16 | 16 | A |
| 脉冲漏极电流 (VGS=10V) | IDM | 100 | 100 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1800 | 1800 | mJ |
| 二极管恢复峰值dv/dt | dv/dt | 5 | 5 | V/ns |
| 功耗 (Tc=25℃) | PD | 105 | 290 | W |
| 25℃以上降额系数 | - | 0.84 | 2.33 | W/℃ |
| 焊接引线最高温度(10秒) | TL | 300 | 300 | ℃ |
| 封装本体最高温度(10秒) | TPAK | 260 | 260 | ℃ |
| 工作/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ 150 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | TO-220F | TO-3P | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结-环境热阻 | RθJA | 100 | 55 | ℃/W |
| 结-壳热阻 | RθJC | 1.19 | 0.43 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 500 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=500V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 漏源漏电流 (高温) | IDSS | VDS=400V, VGS=0V, TC=125℃ | - | - | 125 | μA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | - | - | 100 | nA |
| 栅源漏电流 (反向) | IGSS | VGS=-30V, VDS=0V | - | - | -100 | nA |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=14A | - | 170 | 210 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2 | - | 4 | V |
| 正向跨导 | gfs | VDS=30V, ID=14A | - | 30 | - | S |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 4280 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1400 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 185 | - | pF |
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=250V, ID=14A, VGS=10V, RG=10Ω | - | 24 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDD=250V, ID=14A, VGS=10V, RG=10Ω | - | 40 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDD=250V, ID=14A, VGS=10V, RG=10Ω | - | 100 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDD=250V, ID=14A, VGS=10V, RG=10Ω | - | 35 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=250V, ID=28A, VGS=0~10V | - | 76 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=250V, ID=28A, VGS=0~10V | - | 20 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=250V, ID=28A, VGS=0~10V | - | 19 | - | nC |
| 漏源二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, IS=18A | - | - | 1.5 | V |
| 连续源极电流 (二极管) | ISD | - | - | - | 25 | A |
| 脉冲源极电流 (二极管) | ISM | - | - | - | 100 | A |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V, IF=28A, dIF/dt=100A/μs | - | 530 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | VGS=0V, IF=28A, dIF/dt=100A/μs | - | 4.5 | - | μC |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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