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6N65供应商-IA6N65HD 5.5A/650V-KIA6N65 PDF文件下载-KIA官网

信息来源:本站 日期:2018-01-26 

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6N65参数

KIA 6N65HDN沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计对于高电压,高速功率开关应用,如开关稳压器,开关转换器,螺线管,电机驱动器,继电器驱动程序。


特点

RDS(ON)= 1.9?@ V GS = 10v

低栅极电荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力


产品型号:KIA6N65HD

工作方式:5.5A/650V

漏源电压:650V

栅源电压:±30V

漏电流连续:5.5*A

脉冲漏极电流:16.0A

雪崩能量:300mJ

耗散功率:80W

热电阻:50*(110)℃/W

漏源击穿电压:650V

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:620 PF

输出电容:65 PF

上升时间:45 ns

封装形式:TO-252


KIA6N65(5.5A/650V)
产品编号 KIA6N65/HD
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺 KIA 6N65HDN沟道增强型硅栅功率MOSFET的设计对于高电压,高速功率开关应用,如开关稳压器,开关转换器,螺线管,电机驱动器,继电器驱动程序
产品特征

RDS(ON)= 1.9?@ V GS = 10v

低栅极电荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力

适用范围 主要适用于高电压,高速功率开关应用,如开关稳压器,开关转换器,螺线管,电机驱动器,继电器驱动程序
封装形式 TO-252
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厂家 KIA 原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF页总数 总5页

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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