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6N70原厂供应商 KIA6N70 PDF下载 6N70参数配置对比-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-01-26 

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KIA6N70参数

功率MOSFET采用起亚的高级平面条形DMOS工艺生产。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的。开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。些器件非常适用于高效率开关电源,有源功率因数校正。基于半桥拓扑。


特征

RDS(ON)典型值= 1.8?@ V GS = 10v

低栅极电荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt/dt能力


产品型号:KIA6N70

工作方式:5.8A/700V

漏源电压:700V

栅源电压:±30V

漏电流连续:5.8*A

脉冲漏极电流:150mJ

雪崩能量:4.8A

耗散功率:95W

热电阻:110℃/W

漏源击穿电压:700V

温度系数:0.7V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:650 PF

输出电容:95 PF

上升时间:40 ns

封装形式:TO-251、TO-252、TO-220F


KIA6N70(5.8A 700V
产品编号 KIA6N70/HD/HF/HU/SU
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺 功率MOSFET采用起亚的高级平面条形DMOS工艺生产。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的。开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。
产品特征

RDS(ON)典型值= 1.8?@ V GS = 10v

低栅极电荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt/dt能力

适用范围 主要适用于高效率开关电源,有源功率因数校正。基于半桥拓扑。
封装形式 TO-251、TO-252、TO-220F
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厂家 KIA原厂家
www.kiaic.com
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