1000V13A MOS 管 引脚 1:1 兼容 成本降低 55%
KIA64100A是一款高性能1000V高压N沟道MOSFET，采用先进工艺设计，具备快速开关特性、低导通电阻和快恢复体二极管，适用于各种高压功率电子应用。
产品简介：KNM64100A是一款高性能1000V高压N沟道MOSFET，标准TO-247封装，具备13A连续电流、0.85Ω超低导通电阻与1000mJ高雪崩能量，内置快恢复体二极管，专为光伏逆变器、工业逆变器和高压开关电源设计。
核心优势：1000V高耐压｜0.85Ω低内阻｜1000mJ雪崩能量｜快恢复体二极管｜快速开关｜工业级宽温
封装选型：KNM64100A(TO-247) 标准大功率插件
| 订货型号 | 封装形式 | 适用场景 |
|---|---|---|
| KNM64100A | TO-247 | 光伏逆变器、工业逆变器、高压电源、电机控制、UPS |
| 品牌 | 竞品型号 | 兼容封装 | 核心对标参数 | KNM64100A优势 |
|---|---|---|---|---|
| 新洁能 | NCE1013A | TO-247 | 1000V/13A 0.9Ω | 导通电阻低6%，发热更小 |
| 意法半导体 | STW13NK100Z | TO-247 | 1000V/13A 0.92Ω | 快恢复体二极管，效率更高 |
| IXYS | IXFH13N100 | TO-247 | 1000V/13A 进口 | 成本降低55%，交期稳定 |
| 英飞凌 | IPP13N10S3-10 | TO-247 | 1000V/13A 0.95Ω | 性价比更高，国产替代首选 |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 1000 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | V |
| 连续漏极电流(25℃) | ID | 13 | A |
| 连续漏极电流(100℃) | ID | 8.2 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 52 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1000 | mJ |
| 最大耗散功率 | PD | 312 | W |
| 工作结温 | TJ | -55~+150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.4 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 50 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 1000 | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 3.5 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=6.5A | 0.85 | Ω |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=500V,ID=13A,VGS=10V | 82 | nC |
| 体二极管正向电压 | VSD | IS=13A,VGS=0V | 1.5 | V |
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate (栅极) |
| 2 | Drain (漏极) |
| 3 | Source (源极) |
| 订货型号 | 封装形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNM64100A | TO-247 | KIA (KMOS Semiconductor) |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 1000 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 13 (TC=25℃) | A |
| 8.2 (TC=100℃) | A | ||
| 脉冲漏极电流 (VGS=10V) | IDM | 52 | A |
| 单脉冲雪崩能量 (L=0.5mH) | EAS | 1000 | mJ |
| 峰值二极管恢复dv/dt | dv/dt | 5 | V/ns |
| 最大耗散功率 (TC=25℃) | PD | 312 | W |
| 25℃以上降额系数 | 2.5 | W/℃ | |
| 焊接温度 (距外壳1.6mm，10秒) | TL | 300 | ℃ |
| 封装本体焊接温度 (10秒) | TPAK | 260 | ℃ |
| 工作结温/存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
注意：超过"绝对最大额定值"的应力可能导致器件永久性损坏
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.4 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 50 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 关断特性 (Off Characteristics) | ||||||
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 1000 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=1000V, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | 10 | μA |
| VDS=800V, TJ=125℃ | - | - | 250 | |||
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 导通特性 (On Characteristics) | ||||||
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=6.5A | - | 0.85 | 1.15 | Ω |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.5 | - | 4.5 | V |
| 动态特性 (Dynamic Characteristics) | ||||||
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 3865 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 104 | - | ||
| 输出电容 | Coss | - | 240 | - | ||
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=500V, ID=13A, VGS=0~10V | - | 82 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 20 | - | ||
| 栅漏(米勒)电荷 | Qgd | - | 26 | - | ||
| 开通延迟时间 | td(ON) | VDD=500V, VGS=10V, RG=4.7Ω, ID=13A | - | 30 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 65 | - | ||
| 关断延迟时间 | td(OFF) | - | 38 | - | ||
| 下降时间 | tf | - | 35 | - | ||
| 漏源体二极管特性 (Drain-Source Diode Characteristics) | ||||||
| 连续源极电流 | ISD | MOSFET内置PN二极管 | - | - | 13 | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | - | - | 52 | ||
| 二极管正向电压 | VSD | IS=13A, VGS=0V | - | - | 1.5 | V |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V, IF=13A, diF/dt=100A/μs | - | 591 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 5.4 | - | μC | |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
