80V190A MOS 管 引脚 1:1 兼容 成本降低 45%
KNX2408A采用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷特性，
可广泛应用于各种功率电子领域。
产品简介：KNX2408A是一款采用先进高密度沟槽技术的高性能中压大电流MOSFET，
提供TO-263、TO-220、TO-247三种封装，具备80V耐压、190A连续电流、3.7mΩ超
低导通电阻与175℃高结温，专为功率开关、UPS、电机驱动设计。
核心优势：3.7mΩ低内阻｜190A大电流｜175℃高结温｜高密度沟槽工艺｜三封装可选｜高可靠性
封装选型：KNB2408A(TO-263)贴片｜KNP2408A(TO-220)通用｜KNM2408A(TO-247)大功率
| 订货型号 | 封装形式 | 适用场景 |
|---|---|---|
| KNB2408A | TO-263 | 高密度PCB、中小功率电源、消费电子 |
| KNP2408A | TO-220 | 通用工业电源、UPS、中小功率电机驱动 |
| KNM2408A | TO-247 | 大功率工业电源、重载电机驱动、新能源设备 |
| 品牌 | 竞品型号 | 兼容封装 | 核心对标参数 | KNX2408A优势 |
|---|---|---|---|---|
| 新洁能 | NCE2408A | 全封装 | 80V/190A 4.0mΩ | 导通电阻低8%，发热更小 |
| 士兰微 | SVT2408A | 全封装 | 80V/190A 3.9mΩ | 结温高25℃，可靠性更强 |
| 英飞凌 | IRF2807PBF | TO-220/247 | 80V/190A 4.5mΩ | 成本降低45%，交期稳定 |
| 安森美 | NTD2408A | TO-220/247 | 80V/180A 4.3mΩ | 电流更大，承载能力更强 |
| 参数 | 符号 | TO-220/263 | TO-247 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 80 | 80 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±20 | ±20 | V |
| 连续漏极电流(25℃) | ID | 190 | 190 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 760 | 760 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1.4 | 326 | J |
| 最大耗散功率 | PD | 270 | 326 | W |
| 工作结温 | TJ | -55~+175 | -55~+175 | ℃ |
| 参数 | 符号 | TO-220/263 | TO-247 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.55 | 0.46 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 80 | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 2.8 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=40A | 3.7 | mΩ |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=64V,ID=80A,VGS=10V | 260 | nC |
| 体二极管正向电压 | VSD | IS=40A,VGS=0V | 1.3 | V |
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate (栅极) |
| 2 | Drain (漏极) |
| 3 | Source (源极) |
| 4 (仅TO-263) | Drain (漏极) |
| 订货型号 | 封装形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNB2408A | TO-263 | KIA |
| KNP2408A | TO-220 | KIA |
| KNM2408A | TO-247 | KIA |
| 参数 | 符号 | TO-220/TO-263 | TO-247 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 80 | 80 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±20 | ±20 | V |
| 最高结温 | TJ | 175 | 175 | ℃ |
| 存储温度范围 | TSTG | -55 ~ +175 | -55 ~ +175 | ℃ |
| 连续漏极电流 (TC=25℃) | ID | 190 | 190 | A |
| 脉冲漏极电流 (TC=25℃) | IDM | 760 | 760 | A |
| 单脉冲雪崩能量 (L=0.5mH) | EAS | 1.4 | 326 | J |
| 最大耗散功率 (TC=25℃) | PD | 270 | 326 | W |
| 参数 | 符号 | TO-220/TO-263 | TO-247 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.55 | 0.46 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 关断特性 (Off Characteristics) | ||||||
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 80 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=80V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅源正向漏电流 | IGSS(F) | VGS=+20V | - | - | 100 | nA |
| 栅源反向漏电流 | IGSS(R) | VGS=-20V | - | - | -100 | nA |
| 导通特性 (On Characteristics) | ||||||
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=40A | - | 3.7 | 4.5 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.0 | 2.8 | 4.0 | V |
| 正向跨导 | gfs | VDS=5V, ID=15A | - | 15 | - | S |
| 动态特性 (Dynamic Characteristics) | ||||||
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=64V, VGS=10V, ID=80A | - | 260 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 75 | - | ||
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 80 | - | ||
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=40V, ID=40A, RGEN=3Ω, VGS=10V | - | 25 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 21 | - | ||
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 48 | - | ||
| 下降时间 | tf | - | 18 | - | ||
| 开关电容特性 (Switching Characteristics) | ||||||
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 13500 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 950 | - | ||
| 反向传输电容 | Crss | - | 810 | - | ||
| 漏源体二极管特性 (Drain-Source Diode Characteristics) | ||||||
| 二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, IS=40A | - | - | 1.3 | V |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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