4.0mΩ超低内阻｜小体积大电流｜BMS/电机/快充专用
KNY3903A 是KIA推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进工艺制造，具有极低的导通电阻、低Crss、快速开关特性，通过100%雪崩测试，抗dv/dt能力优异，适合PWM应用、负载开关、电源管理等场景，是高密度PCB设计的理想选择。
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNY3903A | DFN5×6 | KIA |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 4 | Gate（栅极） |
| 5,6,7,8 | Drain（漏极） |
| 1,2,3 | Source（源极） |
| 应用领域 | 具体场景 |
|---|---|
| PWM应用 | DC-DC转换器、电机驱动、LED调光 |
| 负载开关 | 电池保护板、电源分配、电子开关 |
| 电源管理 | 低压大电流电源、快充适配器、便携式设备电源 |
KNY3903A 是KIA高性能N沟道增强型MOSFET，采用DFN5×6超薄贴片封装，具备超低导通电阻、低栅极电荷、快速开关等优势。
专为高密度PCB、大电流低压电源、电机驱动、电池保护等场景设计，有效解决发热大、效率低、体积受限等痛点。
? 超低内阻：RDS(on) = 4.0mΩ@10V，发热更低、效率更高
? 大电流输出：85A连续电流，满足大功率场景
? DFN5×6小体积：节省空间，适合高密度布局
? 低Qg、低Crss：开关速度快，高频损耗小
? 100%雪崩测试：稳定性强，恶劣工况不掉链
? 国产优质替代：交期稳定、性价比更高
| 型号 | 封装 | 极性 | 耐压 | 电流 | 内阻典型值 |
|---|---|---|---|---|---|
| KNY3903A | DFN5×6 | N沟道 | 30V | 85A | 4.0mΩ |
| 参数名称 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 30 | V |
| 连续漏极电流@25℃ | ID | 85 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 360 | A |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 导通电阻 | RDS(on) | 4.0 | mΩ |
| 总栅极电荷 | Qg | 40 | nC |
| 工作温度 | Tj | -55~+150 | ℃ |
| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 耐压 | 电流 | 内阻 | 替换关系 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AOS | AON6962 | DFN5×6 | 30V | 85A | 4.6mΩ | 直接PIN对PIN替换 |
| 新洁能 | NCE3085Q | DFN5×6 | 30V | 85A | 4.5mΩ | 直接替换 |
| 华羿微 | HY3903A | DFN5×6 | 30V | 85A | 4.2mΩ | 直接替换 |
| 拓锋 | TF030N03N | DFN5×6 | 30V | 85A | 4.5mΩ | 直接替换 |
| 安森美 | FDMS0308N | DFN5×6 | 30V | 80A | 4.8mΩ | 性能优于竞品 |
| 威兆 | VS3903AE | DFN5×6 | 30V | 85A | 4.3mΩ | 直接替换 |
? DC-DC电源转换、同步整流
? 锂电池保护板BMS、充放电管理
? 电机驱动、无刷电机、电动工具
? 快充电源、适配器、LED驱动
? 便携式设备、高密度PCB电源
? 负载开关、大电流配电、逆变器
1. 内阻更低 → 发热更少 → 系统更稳定
2. DFN5×6超薄小体积 → 适合紧凑型产品
3. 85A大电流 → 满足大功率设备需求
4. 开关速度快 → 高频应用损耗更低
5. 国产优质供货 → 交期稳定、成本更优
本产品参数以KIA官方规格书为准，可提供样品测试、技术支持。
KNY3903A 是 DFN5×6 30V 85A 低内阻MOSFET 理想选择。
六、绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）
| 参数 | 符号 | 条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | - | 30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | TC=25℃ | 85 | A |
| TC=100℃ | 55 | A | ||
| 脉冲漏极电流 | IDM | - | 360 | A |
| 栅源电压 | VGS | - | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | L=0.5mH, VDD=15V, VGS=10V, RG=25Ω, TJ=25℃ | 90 | mJ |
| 功耗 | PD | TC=25℃ | 90 | W |
| 工作结温与存储温度 | TJ, TSTG | - | -55 ~ +150 | ℃ |
| 焊接最高温度 | TL | 离外壳1/8"，焊接5秒 | 300 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 1.67 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| VDS=24V, TC=125℃ | - | - | 10 | uA | ||
| 栅源正向漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250uA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=30A | - | 4.0 | 5.5 | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=30A | - | 6.0 | 7.5 | mΩ |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 1951 | pF |
| 输出电容 | Coss | 322 | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | 240 | pF |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 开通延迟时间 | td(on) | VGS=10V, VDS=15V, RL=3Ω, ID=30A | 12 | ns |
| 上升时间 | tr | 35 | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | 42 | ns | |
| 下降时间 | tf | 15 | ns |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=15V, ID=30A, VGS=10V | 40 | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 4 | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | 12 | nC |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 连续源极电流 | IS | - | 90 | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | - | 360 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | ISD=30A, VGS=0V, TJ=25℃ | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | Trr | IF=20A, di/dt=100A/μs | 16 | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 5 | nC |
备注：以上数据基于KIA官方规格书（Rev 1.0, Dec 2025），批量应用前请以最新版规格书为准。
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