3.4mΩ超低内阻｜高雪崩耐量｜电机/电源/BMS专用
KCX040N10N 是KIA采用先进沟槽工艺制造的N沟道增强型功率MOSFET，TO-263和TOLL双封装可选，具有极低的导通电阻、优异的开关性能和FOM值，通过JEDDEC标准认证，适合电机驱动、电池管理、UPS等大功率应用场景。
| 型号 | 丝印/标记 | 封装 | 包装形式 | 单卷数量 |
|---|---|---|---|---|
| KCB040N10N | KCB040N10N | TO-263 | 编带（Tape） | 1000pcs |
| KCT040N10N | KCT040N10N | TOLL | 编带（Tape） | 2000pcs |
KCB040N10N（TO?263）/ KCT040N10N（TOLL）是KIA采用先进沟槽工艺的大功率N沟道MOSFET，主打100V/172A、低至3.2mΩ超低内阻、高雪崩耐量、TO?263/TOLL双封装，完美解决传统MOS管发热炸机、电流不足、散热差、体积受限四大痛点，适配电机驱动、BMS、UPS、储能电源等大功率场景，国产替代首选。
| 型号 | 封装 | 丝印 | 包装 | 单卷数量 |
|---|---|---|---|---|
| KCB040N10N | TO?263（D2PAK） | KCB040N10N | 编带 | 1000pcs |
| KCT040N10N | TOLL（TO?263?8L） | KCT040N10N | 编带 | 2000pcs |
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 100 | V |
| 连续漏极电流（25℃） | ID | 172 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 480 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 256 | mJ |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 功耗（25℃） | Ptot | 227 | W |
| 工作结温 | TJ | ?55 ~ +150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=50A（TOLL） | 3.2 | mΩ |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=50A（TO?263） | 3.4 | mΩ |
| 栅极电荷 | QG | VGS=10V, VDS=50V | 90 | nC |
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V, VDS=50V | 6772 | pF |
| 输出电容 | Coss | VGS=0V, VDS=50V | 952 | pF |
| KIA型号 | 封装 | 竞品品牌 | 竞品型号 | 竞品RDS(on) | 对比优势 |
|---|---|---|---|---|---|
| KCB040N10N | TO?263 | 英飞凌 Infineon | IPB039N10N3G | 3.9mΩ | 更低内阻、更高EAS、价格更优 |
| KCB040N10N | TO?263 | 飞虹 | 170N1F4A | 3.6mΩ | 内阻更低、参数一致性更好 |
| KCT040N10N | TOLL | 国产TOLL | 100V/170A TOLL | 3.5~4.0mΩ | 3.2mΩ业内领先、散热更强、体积更小 |
| KCT040N10N | TOLL | 安森美 ON | NTMFS5N10 | 4.5mΩ | 内阻低30%、效率更高、国产替代 |
| 应用领域 | 具体场景 |
|---|---|
| 电机驱动 | 工业电机、电动工具、BLDC无刷电机、伺服电机 |
| 电池管理BMS | 锂电池保护板、储能系统、电池均衡、大电流放电 |
| 电源与储能 | UPS不间断电源、逆变器、DC?DC电源、光伏储能 |
| 新能源 | 电动两轮/三轮车、车载电源、快充电源 |
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备注：以上参数基于KIA官方规格书，批量应用请以最新版规格书为准；支持样品申请、批量供货、技术支持。
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 100 | V |
| 导通电阻（典型值） | RDS(on) | 3.4（TO-263） | mΩ |
| 3.2（TOLL） | mΩ | ||
| 连续漏极电流（TC=25℃） | ID | 172 | A |
| 应用领域 | 具体场景 |
|---|---|
| 电机控制与驱动 | 工业电机、电动工具、BLDC驱动、伺服电机 |
| 电池管理系统（BMS） | 锂电池保护板、储能系统、电池均衡电路 |
| 不间断电源（UPS） | 逆变器、电源转换、DC-AC变换 |
| 参数 | 符号 | 条件 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | - | 100 | V |
| 连续漏极电流 | ID | TC=25℃ | 172 | A |
| TC=25℃ | 120 | A | ||
| TC=100℃ | 109 | A | ||
| 脉冲漏极电流 | ID pulse | TC=25℃, tp 由TJmax限制 | 480 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | L=0.5mH, Rg=25Ω | 256 | mJ |
| 栅源电压 | VGS | - | ±20 | V |
| 功耗 | Ptot | TC=25℃ | 227 | W |
| 工作结温与存储温度 | TJ, Tstg | - | -55 ~ +150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RthJC | 0.55 | ℃/W |
| 结-环境热阻（最小PCB footprint） | RthJA | 62 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 100 | 115 | - | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250uA | 2 | 3 | 4 | V |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=100V, VGS=0V, TJ=25℃ | - | 0.05 | 1 | μA |
| VDS=100V, VGS=0V, TJ=125℃ | - | - | 10 | μA | ||
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | ±10 | ±100 | nA |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=50A（TO-263） | - | 3.4 | 4.2 | mΩ |
| VGS=10V, ID=50A（TOLL） | - | 3.2 | 4.0 | mΩ | ||
| 跨导 | gfs | VDS=5V, ID=50A | - | 50 | - | S |
| 参数 | 符号 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V, VDS=50V, f=1MHz | 6772 | pF |
| 输出电容 | Coss | 952 | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | 33 | pF | |
| 总栅极电荷 | QG | VGS=10V, VDS=50V, ID=20A | 90 | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 28 | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | 19 | nC | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VGS=10V, VDD=50V, RG_ext=3.0Ω | 28 | ns |
| 上升时间 | tr | 32 | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | 48 | ns | |
| 下降时间 | tf | 27 | ns | |
| 栅极电阻 | RG | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 2 | Ω |
备注：以上数据基于KIA官方规格书，批量应用前请以最新版规格书为准。
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