KNM62150A TO-247 11A/1500V MOSFET 国产替代优选
信息来源：本站 日期：2026-05-20
解决进口交期慢、发热高，高压电源专用
| 项目 | 详情 |
|---|---|
| 产品型号 | KNM62150A（62150A系列） |
| 产品类型 | N-Channel MOSFET（N沟道功率场效应管） |
| 封装形式 | TO-247（直插式功率封装） |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 核心规格 | 11A/1500V，Rds(on)=2.4Ω（典型值） |
| 特性项 | 说明 |
|---|---|
| 合规标准 | RoHS Compliant（符合环保标准） |
| 导通电阻 | Rds(on)=2.4Ω（典型值）@VGS=10V |
| 开关损耗 | 低栅极电荷设计，降低开关损耗 |
| 体二极管 | 快恢复体二极管，抑制反向尖峰 |
| 应用领域 | 说明 |
|---|---|
| 高压电源 | 工业级高压电源模块、大功率电源 |
| 电容放电 | 脉冲电源、电容放电电路 |
| 脉冲电路 | 高频脉冲开关、高压脉冲电路 |
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 产品型号 | KNM62150A |
| 结构类型 | N沟道功率MOSFET |
| 封装形式 | TO?247（直插） |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 核心规格 | 1500V / 11A / Rds(on)=2.4Ω |
| 优势点 | 说明 |
|---|---|
| 低导通电阻 | 典型2.4Ω，降低导通损耗 |
| 低栅极电荷 | 开关损耗小，效率更高 |
| 快恢复体二极管 | 抑制反向尖峰，可靠性强 |
| 高雪崩耐量 | EAS=350mJ，抗冲击能力强 |
| 环保合规 | RoHS compliant |
| 领域 | 用途 |
|---|---|
| 高压工业电源 | 大功率高压电源模块 |
| 电容放电电路 | 脉冲电源、储能放电 |
| 高压脉冲电路 | 高频脉冲开关、发生器 |
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 1500 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 11 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 44 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 350 | mJ |
| 功耗 | PD | 312 | W |
| 工作结温 | TJ | -55~150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 1500 | V |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=5.5A | 2.4 | Ω |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2.5~4.5 | V |
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V,VDS=25V | 3876 | pF |
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=750V,ID=11A | 83.2 | nC |
| 型号 | 品牌 | Vds | Id | Rds(on) | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|
| KNM62150A | KIA | 1500V | 11A | 2.4Ω | TO?247 |
| IXTH12N150 | Littelfuse | 1500V | 12A | 2.2Ω | TO?247AD |
| WMJ11N150D1 | 国产 | 1500V | 11A | — | TO?247 |
| STW9N150 | ST | 1500V | 9A | — | TO?247 |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 参数项 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 1500 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 11 | A |
| 脉冲漏极电流@VGS=10V | IDM | 44 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 350 | mJ |
| 功耗@25℃ | PD | 312 | W |
| 功耗降额系数 | - | 2.5 | W/℃ |
| 焊接温度（1.6mm/10s） | TL | 300 | ℃ |
| 存储/工作结温 | TJ,TSTG | -55~150 | ℃ |
| 参数项 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 0.4 | ℃/W |
| 结-环境热阻 | RθJA | 50 | ℃/W |
| 参数项 | 符号 | 测试条件 | 典型值/范围 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 1500（Min） | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=1500V, VGS=0V | ≤1（Max） | uA |
| 漏源漏电流@125℃ | IDSS | VDS=1200V, Tc=125℃ | ≤500（Max） | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | ±100（Max） | nA |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=5.5A | 2.4（Typ）/≤3.2（Max） | Ω |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250uA | 2.5~4.5 | V |
| 栅极电阻 | Rg | f=1MHz, Bias=0V | 1.19（Typ） | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz | 3876（Typ） | pF |
| 反向传输电容 | Crss | 同上条件 | 170（Typ） | pF |
| 输出电容 | Coss | 同上条件 | 195（Typ） | pF |
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=750V, ID=11A, VGS=0~10V | 83.2（Typ） | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 同上条件 | 21.6（Typ） | nC |
| 栅漏（米勒）电荷 | Qgd | 同上条件 | 25.4（Typ） | nC |
| 开通延迟时间 | td(ON) | VDD=750V, ID=11A, RG=25Ω | 62（Typ） | ns |
| 上升时间 | tr | 同上条件 | 188（Typ） | ns |
| 关断延迟时间 | td(OFF) | 同上条件 | 120（Typ） | ns |
| 下降时间 | tf | 同上条件 | 158（Typ） | ns |
| 连续源极电流 | ISD | 体二极管电流 | 11（Typ） | A |
| 脉冲源极电流 | ISM | 体二极管脉冲电流 | 44（Max） | A |
| 二极管正向压降 | VSD | IS=11A, VGS=0V | ≤1.5（Max） | V |
| 反向恢复时间 | trr | VGS=0V, IF=11A, diF/dt=100A/μs | 449（Typ） | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 同上条件 | 3.58（Typ） | nC |
| 测试项目 | 电路类型 |
|---|---|
| 二极管恢复测试 | 带电感负载的二极管恢复测试电路 |
| 开关特性测试 | 带负载电阻的开关测试电路 |
| 栅极电荷测试 | 带辅助电容的栅极电荷测试电路 |
| 雪崩特性测试 | 无钳位电感开关测试电路 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
