KNG/KNY/KND/KNB3403C 30V 80A MOSFET 国产替代
DFN/TO 全封装，低至 4.3mΩ，快充 / 电源专用
?? 产品基础信息
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项目
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详情
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产品系列
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3403C系列 N沟道MOSFET
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产品型号
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KNG3403C/KNY3403C/KND3403C/KNB3403C
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封装形式
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DFN3*3/DFN5*6/TO-252/TO-263
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品牌
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KIA（KMOS Semiconductor）
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核心规格
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80A/30V，低Rds(on)大电流MOSFET
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? 产品核心特性
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特性项
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说明
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低导通电阻
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DFN封装4.3mΩ/TO封装4.5mΩ典型值
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低反向传输电容
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Low Crss，降低开关损耗
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快速开关特性
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Fast switching，适合高频应用
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高可靠性测试
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100% avalanche tested
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抗干扰能力强
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Improved dv/dt capability
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?? 产品基础信息
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系列
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3403C 系列 N沟道功率MOSFET
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型号
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KNG3403C / KNY3403C / KND3403C / KNB3403C
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封装
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DFN3×3 / DFN5×6 / TO?252 / TO?263
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品牌
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KIA（KMOS Semiconductor）
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核心规格
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30V / 80A，超低Rds(on)大电流MOSFET
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? 核心优势
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优势项
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说明
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超低导通电阻
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典型4.3mΩ（10V），损耗低、发热小
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大电流能力
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连续80A，脉冲320A，适合大功率场景
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开关速度快
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低Qg、低Crss，高频效率高
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高可靠性
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100%雪崩测试，抗冲击、耐浪涌
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全封装覆盖
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贴片/直插齐全，适配不同PCB布局
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国产替代
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可直接替换IRL3803/FDB8860/SI7140DP等
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?? 应用场景
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应用领域
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典型用途
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快充电源
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适配器、充电器、PD快充、车载快充
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电源管理
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DC?DC、降压/升压模块、工业电源
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电池保护
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锂电池BMS、保护板、电动工具电池
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电机驱动
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风扇、水泵、小型马达、H桥控制
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负载开关
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大电流配电、智能设备电源开关
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?? 绝对最大额定值（Tc=25℃）
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参数
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符号
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数值
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单位
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漏源电压
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VDSS
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30
|
V
|
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连续漏极电流
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ID
|
80
|
A
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脉冲漏极电流
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IDM
|
320
|
A
|
|
栅源电压
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
功耗（DFN）
|
PD
|
70
|
W
|
|
功耗（TO）
|
PD
|
83
|
W
|
|
工作温度
|
TJ
|
?55~+150
|
℃
|
?? 电气特性（Tc=25℃）
|
参数
|
符号
|
测试条件
|
典型值
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
BVDSS
|
VGS=0V,ID=250μA
|
30
|
V
|
|
导通电阻
|
RDS(ON)
|
VGS=10V,ID=20A
|
4.3~4.5
|
mΩ
|
|
栅极电荷
|
Qg
|
VDS=15V,ID=30A
|
37.2
|
nC
|
|
输入电容
|
Ciss
|
VDS=15V,f=1MHz
|
1972
|
pF
|
|
反向恢复时间
|
trr
|
IF=80A,di/dt=100A/μs
|
32
|
ns
|
?? 竞品替代对照表
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封装
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KIA型号
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进口竞品
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国产竞品
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DFN3×3
|
KNG3403C
|
?
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SVG034R3NL5
|
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DFN5×6
|
KNY3403C
|
PH5030AL
|
MSK80N03NF
|
|
TO?252
|
KND3403C
|
IRL3803/FDB8860
|
NCE3080K
|
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TO?263
|
KNB3403C
|
BUZ111SLE3045A
|
KNB3080B
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?? 典型应用场景
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应用领域
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说明
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PWM应用
|
电机驱动、高频开关电源
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电源管理
|
DC-DC转换器、电池保护板
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负载开关
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电子负载、智能设备电源开关
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?? 引脚定义说明
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DFN3*3/DFN5*6引脚
|
TO-252/TO-263引脚
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功能定义
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|
4
|
1
|
Gate（栅极）
|
|
5,6,7,8
|
2
|
Drain（漏极）
|
|
1,2,3
|
3
|
Source（源极）
|
?? 绝对最大额定值（Tc=25℃）
|
参数项
|
符号
|
额定值
|
单位
|
|
漏源电压
|
VDSS
|
30
|
V
|
|
连续漏极电流@25℃
|
ID
|
80
|
A
|
|
连续漏极电流@100℃
|
ID
|
45
|
A
|
|
脉冲漏极电流
|
IDM
|
320
|
A
|
|
栅源电压
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
单脉冲雪崩能量
|
EAS
|
306
|
mJ
|
|
功耗（DFN封装）
|
PD
|
70
|
W
|
|
功耗（TO封装）
|
PD
|
83
|
W
|
|
工作/存储温度范围
|
TJ,TSTG
|
-55~150
|
℃
|
|
焊接温度（1/8英寸，5秒）
|
TL
|
300
|
℃
|
??? 热特性参数
|
参数项
|
符号
|
DFN封装值
|
TO封装值
|
单位
|
|
结-壳热阻
|
RθJC
|
1.8
|
1.5
|
℃/W
|
?? 电气特性参数（Tc=25℃）
|
参数项
|
符号
|
测试条件
|
典型值/范围
|
单位
|
|
漏源击穿电压
|
BVDSS
|
VGS=0V,ID=250uA
|
30（Min）
|
V
|
|
漏源漏电流
|
IDSS
|
VDS=30V, VGS=0V
|
≤1（Max）
|
uA
|
|
栅源漏电流
|
IGSS
|
VGS=±20V, VDS=0V
|
±100（Max）
|
nA
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(TH)
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
1.0~2.2
|
V
|
|
导通电阻
|
RDS(ON)
|
VGS=10V,ID=20A,DFN封装
|
4.3~6.0
|
mΩ
|
|
VGS=10V,ID=20A,TO封装
|
4.5~6.0
|
mΩ
|
|
VGS=4.5V,ID=20A,DFN封装
|
6.7~9.2
|
mΩ
|
|
VGS=4.5V,ID=20A,TO封装
|
7.5~9.2
|
mΩ
|
|
输入电容
|
Ciss
|
VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz
|
1972
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
214
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
176
|
pF
|
|
开通延迟时间
|
td(ON)
|
VGS=10V,VDS=15V,RG=2.7Ω,ID=30A
|
21
|
ns
|
|
上升时间
|
tr
|
16
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(OFF)
|
62
|
ns
|
|
下降时间
|
tf
|
12
|
ns
|
|
总栅极电荷
|
Qg
|
VDS=15V,ID=30A,VGS=10V
|
37.2
|
nC
|
|
栅源电荷
|
Qgs
|
5.7
|
nC
|
|
栅漏电荷
|
Qgd
|
7.6
|
nC
|
|
体二极管正向电流
|
IS
|
-
|
80
|
A
|
|
体二极管脉冲电流
|
ISM
|
-
|
320
|
A
|
|
二极管正向压降
|
VSD
|
ISD=30A,VGS=0V
|
≤1.2（Max）
|
V
|
|
反向恢复时间
|
trr
|
IF=80A,di/dt=100A/μs,Tj=25℃
|
32
|
ns
|
|
反向恢复电荷
|
Qrr
|
同上条件
|
12
|
nC
|
?? 测试电路说明
|
测试项目
|
电路类型
|
|
栅极电荷测试
|
带电流采样的栅极电荷测试电路
|
|
电阻负载开关测试
|
带电阻负载的开关特性测试电路
|
|
无钳位感性开关测试
|
带电感负载的无钳位开关测试电路
|
|
二极管恢复测试
|
体二极管反向恢复dv/dt测试电路
|
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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