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KIA2803AB 30V 150A MOSFET TO-263 低内阻现货

信息来源:本站 日期:2026-05-21 

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KIA2803AB 30V 150A MOSFET TO-263 低内阻现货

2.2mΩ超低导通电阻 | 电机驱动专用贴片MOS管

KIA2803A MOSFET 参数规格

KIA2803A 150A/30V N沟道MOSFET

1. 产品概述

KIA2803AB

产品描述 KIA2803A采用沟槽工艺,实现极低导通电阻。 结温150℃,开关速度快,雪崩能力强。 适用于电机驱动等多种高效、可靠场景。

2. 核心特性

特性项目 说明
RDS(on)典型值 2.2mΩ @ VGS=10V
低导通电阻 减少导通损耗,提升效率
快速开关 适合高频应用场景
100%雪崩测试 重复雪崩能力强
环保认证 无铅、RoHS合规

KIA2803系列MOSFET 产品详情
一、KIA2803系列 官方宣传介绍
KIA2803系列是KIA原厂高性能N沟道MOSFET,采用先进沟槽工艺制造, 具备超低导通电阻、大电流、高雪崩、快速开关四大核心优势。 全系列通过100%雪崩测试,结温耐受150℃,稳定性远超行业标准。 提供TO-263(KIA2803AB)、TO-220(KIA2803AP)两种主流封装, 完美适配电机驱动、电池保护、DC-DC转换、低压大电流电源系统。 产品无铅环保、RoHS合规,性价比领先同级竞品,是工业级、消费级 电源与动力系统的首选功率器件。
核心卖点:30V耐压/150A大电流/2.2mΩ超低内阻, 低损耗、高效率、长寿命、高可靠性, 封装齐全,直接替代同级进口/国产竞品, 交期稳定、价格优势显著,批量供货无忧。


二、同级竞品型号对照表(30V 150A N沟道MOSFET)

KIA2803AB

封装类型 品牌 竞品型号 关键参数对标
TO-263
(KIA2803AB)
Infineon IRL3803
IRF3703
30V N沟道 大电流低内阻
TO-263 VISHAY Si7140DP
SiR166DP
30V 低RDS(on) 大电流
TO-263 ON NTMT350N
NTD3055L
30V 工业级功率MOS
TO-263 国产替代 HY3803
IRL3803国产版
AOD3803
同规格通用替代型号
TO-220
(KIA2803AP)
Infineon IRF3203
IRL3803PBF
30V 直插大电流MOS
TO-220 ST STB36N30
STD30NF03L
30V 大电流 直插封装
TO-220 国产替代 HY3803P
CS3803
AP3803
直插30V主流竞品


三、产品型号与封装定义
产品型号 封装形式 适用场景
KIA2803AB TO-263(贴片) 贴片PCB、高密度电源、电机驱动板
KIA2803AP TO-220(直插) 直插PCB、大功率模组、工业控制器
四、KIA2803系列 VS 同级竞品 核心优势
对比项目 KIA2803系列 行业同类竞品
导通电阻 2.2mΩ(行业极低) 普遍2.5~3.5mΩ
雪崩能力 100%全检 625mJ 部分无雪崩测试
工作结温 -50~150℃ 多数125℃上限
开关速度 高频快速响应 常规开关速度
可靠性 车规级工艺标准 工业/消费级标准
性价比 原厂直供 高性价比 进口品牌价格偏高
供货能力 稳定批量现货 部分型号缺货/交期长
五、目标应用场景
无刷/有刷电机驱动模块
大功率电池保护板(BMS)
DC-DC电源转换器、降压/升压模块
低压大电流开关电源、适配器
电动工具、平衡车、储能电源
工业控制器、汽车电子辅助系统
3. 引脚定义

引脚号 功能定义
1 Gate(栅极)
2 Drain(漏极)
3 Source(源极)

4. 型号与封装

型号 封装 品牌
KIA2803AB TO-263 KIA
KIA2803AP TO-220 KIA

5. 绝对最大额定值(Tc=25℃)

参数名称 符号 额定值 单位
漏源电压 Vdss 30 V
栅源电压 Vgss ±20 V
连续漏极电流 Id 150 A
脉冲漏极电流 Idm 600 A
单脉冲雪崩能量 Eas 625 mJ
功耗(Tc=25℃) Pd 160 W
最高结温 Tj 150
存储温度范围 Tstg -50~+150
二极管正向电流 Is 150 A

6. 热特性

参数名称 符号 额定值 单位
结到壳热阻 RθJC 0.8 ℃/W

7. 电气特性(Tc=25℃)

参数名称 符号 条件 典型值 最大值 单位
关断特性
漏源击穿电压 BVdss Vgs=0V, Id=250μA - - V(Min:30)
漏源漏电流 Idss Vds=24V, Vgs=0V - 1 μA
漏源漏电流(125℃) Idss Vds=24V, Vgs=0V, Tc=125℃ - 100 μA
栅源漏电流 Igss Vgs=20V, Vds=0V - 100 nA
栅源漏电流 Igss Vgs=-20V, Vds=0V - -100 nA
导通特性
栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.3 2.0 V(Min:0.8)
导通电阻 Rds(on) Vgs=10V, Id=40A 2.2 3.0
导通电阻 Rds(on) Vgs=4.5V, Id=40A 2.8 4.0
动态特性
输入电容 Ciss Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz 5350 - pF
输出电容 Coss Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz 715 - pF
反向传输电容 Crss Vds=15V, Vgs=0V, f=1MHz 605 - pF
总栅极电荷 Qg Vds=15V, Id=20A, Vgs=4.5V 110 - nC
栅源电荷 Qgs Vds=15V, Id=20A, Vgs=4.5V 35 - nC
栅漏电荷(Miller) Qgd Vds=15V, Id=20A, Vgs=4.5V 14 - nC
开关特性
开通延迟时间 Td(on) Vdd=15V, Id=10A, Vgs=4.5V, Rg=6.8Ω 19 - ns
上升时间 trise Vdd=15V, Id=10A, Vgs=4.5V, Rg=6.8Ω 50 - ns
关断延迟时间 Td(off) Vdd=15V, Id=10A, Vgs=4.5V, Rg=6.8Ω 20 - ns
下降时间 tfall Vdd=15V, Id=10A, Vgs=4.5V, Rg=6.8Ω 26 - ns
体二极管特性(Tj=25℃)
二极管正向电压 Vsd Vgs=0V, Isd=20A - 1.3 V
反向恢复时间 trr Isd=30A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ 32 - ns
反向恢复电荷 Qrr Isd=30A, di/dt=100A/μs, Tj=25℃ 33 - nC

8. 典型特性曲线说明

曲线编号 曲线名称 说明
Fig1 输出特性曲线 Id与Vds关系,不同Vgs下的导通特性
Fig2 最大漏极电流-壳温 电流随壳温升高的衰减曲线
Fig3 转移特性曲线 Id与Vgs关系,不同结温对比
Fig4 归一化导通电阻-结温 Rds(on)随温度变化趋势
Fig5 正向跨导-漏极电流 Gfs随Id变化特性
Fig6 安全工作区(SOA) 不同脉宽下的Id-Vds安全边界
Fig7 体二极管正向电压 Vsd与Isd关系,不同结温对比
Fig8 栅极电荷-栅源电压 Vgs随Qg变化曲线,不同Vds对比
Fig9 阈值电压-结温 Vgs(th)随温度变化趋势
Fig10 电容-漏源电压 Ciss/Coss/Crss随Vds变化曲线
Fig11 无钳位感性测试电路 雪崩能量测试电路与波形
Fig12 开关时间测试电路 开关特性测试电路与波形

9. 应用场景

电机驱动、DC-DC转换器、电源管理、 开关电源、电池保护、低压大电流场景


联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

QQ:2880195519(技术群,也可以加这个qq)

联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KIA2803AB

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