5mΩ超低内阻 | 双封装可选，大功率电源专用
| 特性项目 | 说明 |
|---|---|
| 工艺技术 | 采用先进SGT沟槽工艺 |
| 导通电阻 | RDS(ON)=5.0mΩ(typ.)@VGS=10V |
| 开关损耗 | 极低开关损耗，高频效率高 |
| 体二极管 | 快速开关与软恢复特性 |
| 性能指标 | 低RDS(on)与优异FOM值 |
| 稳定性 | 优异的稳定性与参数一致性 |
| 电源开关电路（Power switching） |
| 硬开关与高频电路 |
| 不间断电源（UPS） |
| 低导通电阻大功率电源系统 |
| 产品型号 | 封装形式 | 类型 | 适用场景 |
|---|---|---|---|
| KCB3310A | TO-263（贴片） | N沟道MOSFET | 常规大功率、通用电源、逆变器 |
| KCY3310A | DFN5×6（微型超薄） | N沟道MOSFET | 高密度PCB、超薄电源、小型化设备 |
| 参数项目 | 规格值 | 优势说明 |
|---|---|---|
| 漏源电压 | 100V | 高压稳定，耐冲击不炸管 |
| 连续电流 | 90A | 超大电流，大功率场景专用 |
| 导通电阻 | 5.0mΩ@VGS=10V | 超低内阻，发热低、效率高 |
| 雪崩能量 | 529mJ | 高可靠性，抗过载能力强 |
| 开关速度 | 低Qg低损耗 | 高频工作更稳定、温升更低 |
| 工作温度 | -55~150℃ | 宽温工业级，适应恶劣环境 |
四、同级直接竞品型号
| 型号 | 封装 | 品牌 | 竞品型号 |
|---|---|---|---|
| KCB3310A | TO-263 | Infineon / VISHAY / 国产 | IRL3806、IRFB4110、SI7136、HY3310 |
| KCY3310A | DFN5×6 | Infineon / VISHAY / 国产 | BSC010N10LS、SI7136DP、100V06N |
| 对比项目 | KCB/KCY3310A | 行业同类竞品 |
|---|---|---|
| 导通电阻 | 5.0mΩ 更低损耗 | 普遍 6~12mΩ |
| 开关性能 | 低Qg，高频效率更高 | 电荷大，损耗偏高 |
| 封装选择 | TO-263 + DFN5×6 齐全 | 微型封装型号少 |
| 一致性 | 原厂晶圆，一致性强 | 品质参差不齐 |
| 性价比 | 高可靠、低成本 | 进口价高、交期长 |
| 客户常见痛点 | KCB/KCY3310A 解决方案 |
|---|---|
| 电源发热严重、温升快 | 5mΩ超低内阻，大幅降低发热 |
| 高频工作炸管、不稳定 | 高雪崩+快恢复二极管，更耐用 |
| 设备体积受限、需要超薄 | KCY3310A DFN5×6微型封装 |
| 效率低、功耗大 | 低栅电荷，开关损耗更低 |
| 进口货期长、成本高 | 国产原厂，现货稳定、价更优 |
| 大功率开关电源、DC-DC转换器 |
| 电机驱动、无刷电机控制器 |
| 高频逆变、UPS不间断电源 |
| 超薄电源、高密度PCB模块 |
| 硬开关电路、低内阻大功率系统 |
| 储能电源、车载电源、工业设备 |
| 引脚功能 | TO-263引脚号 | DFN5×6引脚号 |
|---|---|---|
| Gate（栅极） | 1 | 4 |
| Drain（漏极） | 2 | 5,6,7,8 |
| Source（源极） | 3 | 1,2,3 |
| 产品型号 | 封装形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KCB3310A | TO-263 | KIA |
| KCX3310A | TO-263/DFN5×6 | KIA |
| KCY3310A | DFN5×6 | KIA |
| 参数名称 | 符号 | 条件 | TO-263 | DFN5×6 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | Vdss | - | 100 | 100 | V |
| 连续漏极电流 | Id | Tc=25℃ | 90 | 85 | A |
| Tc=100℃ | 57 | 56 | A | ||
| 脉冲漏极电流 | Idm | - | 360 | 340 | A |
| 雪崩能量 | EAS | - | 529 | 529 | mJ |
| 栅源电压 | Vgs | - | ±20 | ±20 | V |
| 功耗 | Pd | Tc=25℃ | 166 | 90 | W |
| Tc=100℃ | 66.4 | 36 | W | ||
| 工作/存储温度 | Tj,Tstg | - | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 条件 | TO-263 | DFN5×6 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 结-环境热阻 | RθJA | t≤10S | 15 | 20 | ℃/W |
| 稳态 | 60 | 50 | ℃/W | ||
| 结-壳热阻 | RθJC | 稳态 | 0.75 | 1.38 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V, Id=250μA | 100 | - | - | V |
| 零栅压漏源电流 | Idss | Vds=100V, Vgs=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs, Id=250μA | 2 | 2.8 | 4 | V |
| 栅极漏电流 | Igss | Vgs=±20V, Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V, Id=20A | - | 5.0 | 5.8 | mΩ |
| 栅极电阻 | Rg | F=1MHz, 开路漏极 | - | 0.9 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | Vds=50V, Vgs=0V, f=1MHz | - | 4600 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 1250 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 43 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=50V, Id=20A, Vgs=10V, Rg=2.2Ω | - | 17.6 | - | ns |
| 上升时间 | trise | - | 30.2 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 33.6 | - | ns | |
| 下降时间 | tfall | - | 39.6 | - | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg | Vds=50V, Id=20A, Vgs=10V, f=1MHz | - | 66 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 23 | - | nC | |
| 栅漏电荷(Miller) | Qgd | - | 6.6 | - | nC | |
| 二极管正向电压 | Vsd | Vgs=0V, Is=20A | - | - | 1.3 | V |
| 体二极管连续电流 | Is | - | - | - | 90 | A |
| 反向恢复时间 | trr | If=20A, di/dt=100A/μs | - | 65 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 90 | - | nC |
| 曲线编号 | 曲线名称 | 说明 |
|---|---|---|
| Figure 1 | 输出特性曲线 | 不同Vgs下的Id-Vds关系 |
| Figure 2 | 转移特性曲线 | Id-Vgs关系，不同结温对比 |
| Figure 3 | 电容特性曲线 | Ciss/Coss/Crss随Vds变化 |
| Figure 4 | 栅极电荷曲线 | Vgs随Qg变化特性 |
| Figure 5 | Rds(on) vs Id/Vgs | 导通电阻随电流和栅压变化 |
| Figure 6 | 归一化Rds(on)-结温 | 导通电阻随温度变化趋势 |
| Figure 7 | 漏极电流-壳温曲线 | Id随Tc升高的衰减特性 |
| Figure 8 | 安全工作区(SOA)曲线 | 不同脉宽下的Id-Vds安全区 |
| Figure 9 | 瞬态热阻抗曲线 | TO-263/DFN5×6热响应对比 |
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