9.6Ω低内阻 | 三种封装可选，高压电源专用
| 特性项目 | 说明 |
|---|---|
| 环保合规 | RoHS标准，无铅工艺 |
| 导通电阻 | RDS(ON)=9.6Ω(typ.)@VGS=10V |
| 开关损耗 | 低栅极电荷，降低开关损耗 |
| 体二极管 | 快恢复体二极管，反向恢复快 |
| 电源适配器（Adaptor） |
| 充电器（Charger） |
| 开关电源待机电源（SMPS Standby） |
| 产品型号 | 封装 | 类型 | 核心参数 | 适用场景 |
|---|---|---|---|---|
|
KND41100A |
TO-252贴片 | N沟道 MOSFET | 200V 130A 9mΩ | 大功率逆变、DC-DC、电机驱动 |
| KNP41100A | TO-220 直插 | N沟道 MOSFET | 1000V 2A 9.6Ω | 高压电源、适配器、充电器 |
| KNF41100A | TO-220F 绝缘 | N沟道 MOSFET | 1000V 2A 9.6Ω | 高压绝缘电源、待机电源、工控 |
| 型号 | 耐压 | 电流 | 内阻 | 核心优势 |
|---|---|---|---|---|
| KND41100A | 200V | 130A | 9.0mΩ | 大电流、低发热、高雪崩、耐炸管 |
| KNP41100A | 1000V | 2A | 9.6Ω | 超高压、低损耗、适合高压小电流 |
| KNF41100A | 1000V | 2A | 9.6Ω | 塑封绝缘、抗干扰、安全稳定 |
四、同级直接平替型号
| 型号 | 品牌 | 竞品型号 | 对标参数 |
|---|---|---|---|
| KND41100A | Infineon/VISHAY/国产 | IRFB4310、Si4120、HY2920 | 200V 大电流低内阻MOS |
| KNP41100A | Infineon/ST/ON/国产 | IRF830、STK1000V2A、10N10 | 1000V 2A 高压MOS管 |
| KNF41100A | Infineon/ST/国产 | IRF830NS、FQP10N10、10N10F | 1000V 2A 绝缘塑封MOS |
| 对比项 | KIA系列MOS管 | 同类竞品 |
|---|---|---|
| 内阻性能 | 内阻更低，发热更少 | 内阻偏高，发热大 |
| 可靠性 | 高雪崩、耐冲击、不炸管 | 易过流损坏、一致性差 |
| 封装选择 | 贴片/直插/绝缘齐全 | 部分封装缺货 |
| 性价比 | 原厂稳定、价优 | 进口价高、交期长 |
| 适用范围 | 大功率+高压全覆盖 | 场景单一 |
| 客户痛点 | 解决方案 |
|---|---|
| 大功率电源发热严重、炸管 | KCB2920A 低内阻+高雪崩 |
| 高压电源耐压不足、不稳定 | KNP41100A 1000V超高压 |
| 电源需要绝缘、抗干扰 | KNF41100A 塑封绝缘设计 |
| PCB空间有限、需要贴片 | KCB2920A TO-263小体积 |
| 进口货期长、成本高 | 国产原厂，现货稳定价优 |
| 大功率逆变器、光伏逆变、储能电源 |
| DC-DC转换器、电机驱动、工业控制器 |
| 高压电源、适配器、充电器、待机电源 |
| 开关电源、UPS、工控设备、照明电源 |
| 高密度PCB、绝缘型电源、安全型设备 |
| 引脚号 | 功能定义 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 产品型号 | 封装形式 | 品牌 |
|---|---|---|
| KND41100A | TO-252 | KIA |
| KNP41100A | TO-220 | KIA |
| KNF41100A | TO-220F | KIA |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压（Tj=25℃） | Vdss | 1000 | V |
| 栅源电压 | Vgss | ±30 | V |
| 连续漏极电流（Tc=25℃） | Id | 2.0 | A |
| 脉冲漏极电流（VGS=10V） | Idm | 8.0 | A |
| 单脉冲雪崩能量（VDD=50V） | EAS | 80 | mJ |
| 功耗 | Pd | 60 | W |
| 最高结温 | Tjmax | 150 | ℃ |
| 存储温度范围 | Tstg | -55~150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 2.08 | ℃/W |
| 结-环境热阻 | RθJA | 75 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V, Id=250μA | 1000 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=1000V, Vgs=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅源漏电流 | Igss | Vgs=±30V, Vds=0V | -100 | - | 100 | nA |
| 漏源导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V, Id=1.0A | - | 9.6 | 12 | Ω |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs, Id=250μA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| 输入电容 | Ciss | Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz | - | 370 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 4.0 | - | pF | |
| 输出电容 | Coss | - | 40 | - | pF | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=500V, Id=2.0A, Vgs=10V | - | 15 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 2.1 | - | nC | |
| 栅漏电荷(Miller) | Qgd | - | 6.0 | - | nC | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=500V, Id=2.0A, Rg=12Ω, Vgs=10V（阻性负载） | - | 8.0 | - | ns |
| 上升时间 | trise | - | 6.0 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 36 | - | ns | |
| 下降时间 | tfall | - | 15 | - | ns | |
| 连续源极电流 | Isd | - | - | - | 2 | A |
| 二极管正向电压 | Vsd | Is=2.0A, Vgs=0V | - | - | 1.5 | V |
| 反向恢复时间 | trr | Vgs=0V, If=2.0A, di/dt=-100A/μs, Tj=25℃ | - | 320 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 1.0 | - | uC |
| 曲线编号 | 曲线名称 | 说明 |
|---|---|---|
| Fig.1/2/3 | 输出特性曲线 | 不同温度/电压下的Id-Vds关系 |
| Fig.4/5 | Rds(on)归一化曲线 | 导通电阻随结温/电流变化 |
| Fig.6 | 最大漏极电流-壳温 | Id随Tc升高的衰减曲线 |
| Fig.7 | 输入导纳曲线 | Id随Vgs变化，不同结温对比 |
| Fig.8 | 跨导曲线 | Gfs随Id变化特性 |
| Fig.9 | 体二极管正向特性 | Is随Vsd变化，不同结温对比 |
| Fig.10 | 栅极电荷曲线 | Vgs随Qg变化，不同Vdd对比 |
| Fig.11 | 电容特性曲线 | Ciss/Coss/Crss随Vds变化 |
| Fig.12 | 瞬态热阻抗曲线 | 归一化热响应与脉冲宽度关系 |
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