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KNP4890A/KNF4890A 900V 9A 1.2Ω低内阻 可替代FQP9N90

信息来源：本站　日期：2026-05-25　

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KNP4890A/KNF4890A 900V 9A MOSFET 1.2Ω低内阻 可替代FQP9N90

1.2Ω低内阻｜高雪崩耐量｜快恢复二极管｜TO-220/TO-220F双封装

KNP4890A/KNF4890A (4890A) N沟道MOSFET 规格参数

KNP4890A/KNF4890A

品牌：KIA（KMOS Semiconductor）| 封装：TO-220/TO-220F | 类型：N-Channel MOSFET

一、产品特性

项目 参数说明
RDS(ON) 典型值1.2Ω @ VGS=10V
工艺技术 专有新型平面工艺
优势特性 低栅极电荷，降低开关损耗
内置二极管 快恢复体二极管

二、典型应用

应用场景
适配器充电器
SMPS开关电源
LCD面板电源

KNP4890A / KNF4890A N沟道MOSFET 规格参数

品牌：KIA（KMOS Semiconductor） | 封装：KNP4890A=TO?220；KNF4890A=TO?220F | 类型：N?Channel MOSFET

一、产品特性

项目 参数说明
RDS(ON) 1.2Ω(typ)/1.4Ω(max) @ VGS=10V
工艺技术 专有平面DMOS工艺
优势特性 低栅极电荷，开关损耗小
内置二极管 快恢复体二极管

二、典型应用

应用场景
电源适配器、充电器
SMPS开关电源
LCD/LED面板电源
高压DC?DC、逆变器

KNP4890A（TO-220）/ KNF4890A（TO-220F）
900V 9A N沟道MOSFET

1.2Ω低内阻｜快恢复体二极管｜高雪崩耐量｜国产替代优选

KNP4890A（TO-220）/ KNF4890A（TO-220F）是KIA半导体推出的高压MOSFET。 采用平面DMOS工艺，具备低RDS(on)、低栅荷、高雪崩能量特性。 适配电源适配器、充电器、SMPS、LCD/LED电源等高压场景。 可直接替代进口9N90系列，降成本、交期稳、供货足。

KNP4890A/KNF4890A

二、平起替代清单（同参数900V/9A，TO-220/TO-220F）
品牌 竞品型号 封装 备注
英飞凌 FQP9N90、FQA9N90、FQP9N90C TO-220/TO-220F Pin-to-Pin兼容
意法ST STP9NK90Z、STP9NK90ZFP TO-220/TO-220F 可直接替代
安森美ON NDF9N90、NTGF9N90、FQPF9N90CT TO-220/TO-220F 参数一致
威世Vishay SUP9N90、SIHP9N90 TO-220 高压低损耗
东芝 TK9A90E、2SK4006 TO-220 工业级可靠
新洁能 NCE9N90、NCE9N90F TO-220/TO-220F 国产替代
华润微 CR9N90、CRS9N90 TO-220/TO-220F 高性价比
士兰微 SVF9N90、SVF9N90F TO-220/TO-220F 国产主流
微碧VBsemi VBM9N90、VBL9N90 TO-220/TO-220F 国产替代
三、产品特性
项目 参数说明
型号 KNP4890A（TO-220）/ KNF4890A（TO-220F）
沟道类型 N沟道MOSFET
耐压VDSS 900V
电流ID 9A（Tc=25℃）
RDS(ON) 1.2Ω(typ)/1.4Ω(max) @ VGS=10V
工艺 平面DMOS工艺
特性 低栅荷、开关损耗小、快恢复体二极管
四、典型应用
应用场景
电源适配器、充电器
SMPS开关电源
LCD/LED面板电源
高压DC-DC、逆变器
五、引脚定义（TO-220 / TO-220F）
引脚号 功能定义
1 Gate（栅极）
2 Drain（漏极）
3 Source（源极）
六、绝对最大额定值（Tc=25℃）
参数名称 符号 TO-220 TO-220F 单位
漏源电压 VDSS 900 900 V
栅源电压 VGS ±30 ±30 V
连续漏极电流 ID 9 9 A
连续漏极电流(100℃) ID 5.7 5.7 A
脉冲漏极电流 IDM 36 36 A
单脉冲雪崩能量 EAS 580 580 mJ
耗散功率 PD 208 67 W
工作温度范围 TJ -55~+150 -55~+150 ℃
七、热特性参数
参数名称 符号 TO-220 TO-220F 单位
结-壳热阻 RθJC 0.6 1.86 ℃/W
结-环境热阻 RθJA 62 100 ℃/W
八、电气特性参数（TJ=25℃）
参数名称 符号 测试条件 参数值 单位
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 900（min） V
漏源漏电流 IDSS VDS=900V,VGS=0V ≤1 μA
栅源漏电流 IGSS VGS=±30V,VDS=0V ±100（max） nA
导通电阻 RDS(ON) VGS=10V,ID=4.8A 1.2(typ)/1.4(max) Ω
栅极阈值电压 VGS(TH) VDS=VGS,ID=250μA 2.0~4.0 V
输入电容 Ciss VGS=0V,VDS=25V 2595（typ） pF
输出电容 Coss VGS=0V,VDS=25V 145（typ） pF
反向传输电容 Crss VGS=0V,VDS=25V 15（typ） pF
总栅极电荷 Qg VDD=450V,ID=9A 48（typ） nC
开通延迟时间 td(ON) VDD=450V,VGS=10V 36（typ） ns
关断延迟时间 td(OFF) VDD=450V,VGS=10V 136（typ） ns
体二极管正向电压 VSD IS=9A,VGS=0V ≤1.5 V
注：以上参数来自KIA官方规格书，使用请以原厂手册为准。


三、引脚定义（TO?220 / TO?220F）

引脚号 功能定义
1 Gate（栅极）
2 Drain（漏极）
3 Source（源极）

四、型号与封装信息

型号 封装 品牌
KNP4890A TO?220 KIA
KNF4890A TO?220F KIA

五、绝对最大额定值（Tc=25℃）

参数名称 符号 TO?220 TO?220F 单位
漏源电压 VDSS 900 900 V
栅源电压 VGS ±30 ±30 V
连续漏极电流(Tc=25℃) ID 9 9 A
连续漏极电流(Tc=100℃) ID 5.7 5.7 A
脉冲漏极电流(VGS=10V) IDM 36 36 A
单脉冲雪崩能量 EAS 580 580 mJ
二极管恢复峰值dv/dt dv/dt 1000 1000 V/ns
耗散功率(Tc=25℃) PD 208 67 W
25℃以上降额系数 PD 1.67 0.54 W/℃
焊接引脚最高温度(10s) TL 300 300 ℃
封装本体焊接温度(10s) TPAK 260 260 ℃
工作/存储温度范围 TJ&TSTG -55~150 -55~150 ℃

六、热特性参数

参数名称 符号 TO?220 TO?220F 单位
结?壳热阻 RθJC 0.6 1.86 ℃/W
结?环境热阻 RθJA 62 100 ℃/W

七、电气特性参数（TJ=25℃）

参数名称 符号 测试条件 参数值 单位
关断特性
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 900（min） V
漏源漏电流IDSS IDSS VDS=900V,VGS=0V ≤1 μA
VDS=720V,VGS=0V,TJ=125℃ ≤100 μA
栅源漏电流IGSS IGSS VGS=±30V,VDS=0V ±100（max） nA
导通特性
导通电阻RDS(ON) RDS(ON) VGS=10V,ID=4.8A 1.2(typ)/1.4(max) Ω
栅极阈值电压 VGS(TH) VDS=VGS,ID=250μA 2.0~4.0 V
正向跨导gfs gfs VDS=30V,ID=5A 9.2（typ） S
动态特性（f=1.0MHz）
输入电容Ciss Ciss VGS=0V,VDS=25V 2595（typ） pF
输出电容Coss Coss VGS=0V,VDS=25V 145（typ） pF
反向传输电容Crss Crss VGS=0V,VDS=25V 15（typ） pF
栅极电阻Rg Rg VDS=0V,f=1MHz 1.4（typ） Ω
总栅极电荷Qg Qg VDD=450V,ID=9A,VGS=0→10V 48（typ） nC
栅源电荷Qgs Qgs 同上 15（typ） nC
栅漏电荷Qgd Qgd 同上 18（typ） nC
开关特性（VDD=450V,VGS=10V,RG=25Ω,ID=9A）
开通延迟时间td(ON) td(ON) 同上 36（typ） ns
上升时间trise trise 同上 42（typ） ns
关断延迟时间td(OFF) td(OFF) 同上 136（typ） ns
下降时间tfall tfall 同上 48（typ） ns
体二极管特性
连续源极电流ISD ISD 集成PN二极管 9（max） A
脉冲源极电流ISM ISM 同上 36（max） A
二极管正向电压VSD VSD IS=9A,VGS=0V ≤1.5 V
反向恢复时间trr trr VGS=0V,IF=9A,diF/dt=100A/μs 562（typ） ns
反向恢复电荷Qrr Qrr 同上 3.5（typ） nC

注：以上参数来自KIA官方规格书，使用请以原厂手册为准。

三、引脚定义（TO-220/TO-220F封装）
引脚号 功能定义
1 Gate（栅极）
2 Drain（漏极）
3 Source（源极）

四、型号与包装信息

型号 封装 品牌
KNP4890A TO-220 KIA
KNF4890A TO-220F KIA

五、绝对最大额定值（Tc=25℃）

参数名称 符号 TO-220 TO-220F 单位
漏源电压 VDSS 900 900 V
栅源电压 VGS ±30 ±30 V
连续漏极电流(Tc=25℃) ID 9 9 A
连续漏极电流(Tc=100℃) ID 见规格书Figure3 A
脉冲漏极电流(VGS=10V) IDM 见规格书Figure6 A
单脉冲雪崩能量 EAS 580 580 mJ
二极管恢复峰值dv/dt dv/dt 1000 1000 V/ns
耗散功率(Tc=25℃) PD 208 67 W
25℃以上降额系数 PD 1.67 0.54 W/℃
焊接引脚最高温度(10s) TL 300 300 ℃
封装本体焊接温度(10s) TPAK 260 260 ℃
工作/存储温度范围 TJ&TSTG -55~150 -55~150 ℃

六、热特性参数

参数名称 符号 TO-220 TO-220F 单位
结-壳热阻 RθJC 0.6 1.86 ℃/W
结-环境热阻 RθJA 62 100 ℃/W

七、电气特性参数（TJ=25℃）

参数名称 符号 测试条件 参数值 单位
关断特性
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250uA 900（min） V
漏源漏电流 IDSS IDSS VDS=900V, VGS=0V ≤1 uA
VDS=720V, VGS=0V, TJ=125℃ ≤100 uA
栅源漏电流 IGSS IGSS VGS=±30V, VDS=0V ±100（max） nA
导通特性
导通电阻 RDS(ON) RDS(ON) VGS=10V, ID=4.8A 1.2(typ)/1.4(max) Ω
栅极阈值电压 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250uA 2.0~4.0 V
正向跨导 gfs VDS=30V, ID=5A 9.2（typ） S
动态特性（f=1.0MHz）
输入电容 Ciss Ciss VGS=0V, VDS=25V 2595（typ） pF
输出电容 Coss Coss VGS=0V, VDS=25V 145（typ） pF
反向传输电容 Crss Crss VGS=0V, VDS=25V 15（typ） pF
栅极电阻 Rg VDS=0V, f=1MHz 1.4（typ） Ω
总栅极电荷 Qg Qg VDD=450V, ID=9A, VGS=0→10V 48（typ） nC
栅源电荷 Qgs Qgs 同上 15（typ） nC
栅漏电荷 Qgd Qgd 同上 18（typ） nC
开关特性（VDD=450V, VGS=10V, RG=25Ω, ID=9A）
开通延迟时间 td(ON) 同上 36（typ） ns
上升时间 trise trise 同上 42（typ） ns
关断延迟时间 td(OFF) 同上 136（typ） ns
下降时间 tfall tfall 同上 48（typ） ns
体二极管特性
连续源极电流 ISD 集成PN二极管 9（max） A
脉冲源极电流 ISM 同上 36（max） A
二极管正向电压 VSD IS=9A, VGS=0V ≤1.5 V
反向恢复时间 trr trr VGS=0V, IF=9A, diF/dt=100A/us 562（typ） nS
反向恢复电荷 Qrr Qrr 同上 3.5（typ） nC

注：以上参数均来自KIA官方规格书，使用时请以原厂数据手册为准。



联系方式：邹先生

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）

联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KNP4890A/KNF4890A

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