KNP6140S/KNF6140S 400V 11A 0.53Ω低内阻可替代SPA11N40

信息来源：本站　日期：2026-05-25　

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KNP6140S/KNF6140S 400V 11A MOSFET 0.53Ω低内阻可替代SPA11N40

0.53Ω低内阻｜15.7nC低栅荷｜365mJ高雪崩｜TO-220/TO-220F双封装

KNP6140S/KNF6140S

KNP6140S / KNF6140S (6140S) N沟道MOSFET 规格参数

品牌：KIA（KMOS Semiconductor） | 封装：KNP6140S=TO-220；KNF6140S=TO-220F | 类型：N-Channel MOSFET

一、产品描述

KNX6140S为N沟道增强型硅栅功率MOSFET，专为高压、高速开关应用设计，如开关稳压器、转换器、电磁阀、电机驱动器、继电器驱动器等场景。

二、产品特性

项目	参数说明
RDS(ON)	0.53Ω(typ.) @ VGS=10V, ID=5A
电流/电压	11A, 400V N沟道MOSFET
栅极电荷	低栅极电荷，典型值15.7nC
开关特性	快速开关、改进的dv/dt能力
可靠性	100%雪崩测试，高抗冲击性

KNP6140S/KNF6140S 400V 11A N沟道MOSFET

TO-220/TO-220F封装｜低内阻｜快速开关｜高雪崩能力

产品介绍 & 产品介绍

KNP6140S/KNF6140S

KNP6140S/KNF6140S是高压增强型N沟道MOSFET，采用先进平面工艺。

产品具备400V耐压、11A大电流、0.53Ω超低内阻，开关速度快。

内置快恢复二极管，100%通过雪崩测试，稳定性强、寿命更长。

广泛用于开关电源、适配器、电机驱动、电磁阀控制等高压场景。

可直接PIN-PIN替代同规格国际/国产型号，无需改板，性价比更高。

核心优势

优势项目	产品特点
高压耐压	400V漏源击穿电压，高压场景更安全
超低内阻	0.53Ω典型导通电阻，发热更低
快速开关	低栅极电荷，开关损耗小、效率高
高可靠性	365mJ雪崩能量，抗冲击、防炸管
双封装可选	TO-220/TO-220F，满足绝缘/非绝缘需求

全系列直接平替（可PIN-PIN替换）

品牌	竞品型号	封装	规格
Infineon英飞凌	SPA11N40、FQP11N40	TO-220/F	400V 11A
ON安森美	NTD4960、NTGD11N40	TO-220/F	400V 11A
ST意法	STP11N40、STP11NM40	TO-220/F	400V 11A
VISHAY威世	SIHP11N40、SUP11N40	TO-220	400V 11A
新洁能	NCE40H11、NCE11N40	TO-220/F	400V 11A
扬杰科技	YJQ11N40、40N11	TO-220/F	400V 11A
士兰微	SVF11N40、SVF11N40F	TO-220/F	400V 11A
华润微	CR11N40、CRS11N40	TO-220/F	400V 11A

型号与封装

型号	封装	类型
KNP6140S	TO-220	N沟道MOSFET
KNF6140S	TO-220F	N沟道MOSFET

绝对最大额定值（Tc=25℃）

参数	符号	TO-220	TO-220F	单位
漏源电压	VDSS	400	400	V
栅源电压	VGS	±30	±30	V
连续漏极电流	ID	11	11	A
脉冲漏极电流	IDM	44	44	A
单脉冲雪崩能量	EAS	365	365	mJ
耗散功率	PD	194.5	40.2	W
工作温度	TJ	-55~150	-55~150	℃

核心电气参数（TJ=25℃）

参数	符号	测试条件	数值	单位
漏源击穿电压	BVDS	VGS=0V	400(min)	V
栅极阈值电压	VGS(th)	ID=250μA	2.0~4.0	V
导通电阻	RDS(ON)	VGS=10V,ID=5A	0.53(typ)	Ω
输入电容	Ciss	VDS=25V	980	pF
总栅极电荷	Qg	VDS=320V	15.7	nC
体二极管电压	VSD	IS=11A	≤1.4	V

典型应用场景

开关电源 & AC/DC适配器

电机驱动与电磁阀控制

工业控制与电源模块

LED驱动 & 照明电源

充电器与高压开关设备

注：产品可完全替代上表竞品，性能优异、供货稳定、价格优势明显。

三、引脚定义（TO-220 / TO-220F封装）

引脚号	功能定义
1	Gate（栅极）
2	Drain（漏极）
3	Source（源极）

四、型号与包装信息

型号	封装	品牌
KNP6140S	TO-220	KIA
KNF6140S	TO-220F	KIA

五、绝对最大额定值（Tc=25℃）

参数名称	符号	TO-220	TO-220F	单位
漏源电压	VDSS	400	400	V
栅源电压	VGS	±30	±30	V
连续漏极电流(Tc=25℃)	ID	11	11	A
连续漏极电流(Tc=100℃)	ID	6.6	6.6	A
脉冲漏极电流	IDM	44	44	A
重复雪崩能量	EAR	19.50	19.50	mJ
单脉冲雪崩能量	EAS	365	365	mJ
雪崩电流	IAR	11	11	A
二极管恢复峰值dv/dt	dv/dt	4.5	4.5	V/ns
耗散功率(Tc=25℃)	PD	194.5	40.2	W
25℃以上降额系数	PD	1.55	0.32	W/℃
工作/存储温度范围	TJ&TSTG	-55~+150	-55~+150	℃
焊接引脚最高温度(5s)	TL	300	300	℃
栅源ESD电压(HBM)	VESD(G-S)	2500	2500	V

六、热特性参数

参数名称	符号	TO-220	TO-220F	单位
结-壳热阻	RθJC	0.65	3.15	℃/W
结-环境热阻	RθJA	62.5	62.5	℃/W
壳-散热器热阻(典型)	RθJS	0.5	-	℃/W

七、电气特性参数（TJ=25℃）

参数名称	符号	测试条件	参数值	单位
关断特性
漏源击穿电压	BVDS	VGS=0V, ID=250μA	400（min）	V
零栅压漏电流 IDSS	IDSS	VDS=400V, VGS=0V	≤1	μA
零栅压漏电流 IDSS	IDSS	VDS=320V, TC=125℃	≤10	μA
栅极漏电流 IGSS	IGSS	VGS=20V, VDS=0V	≤1	nA
栅极漏电流 IGSS	IGSS	VGS=-20V, VDS=0V	≥-1	nA
击穿电压温度系数	ΔBVDS/ΔTJ	ID=250μA, 25℃参考	0.4	V/℃
导通特性
栅极阈值电压	VGS(th)	VDS=VGS, ID=250μA	2.0~4.0	V
导通电阻 RDS(ON)	RDS(ON)	VGS=10V, ID=5A	530(typ)/640(max)	mΩ
正向跨导	gFS	VDS=40V, ID=5A	8（typ）	S
动态特性（f=1.0MHz）
输入电容 Ciss	Ciss	VGS=0V, VDS=25V	980（typ）	pF
输出电容 Coss	Coss	VGS=0V, VDS=25V	140（typ）	pF
反向传输电容 Crss	Crss	VGS=0V, VDS=25V	2.6（typ）	pF
总栅极电荷 Qg	Qg	VDS=320V, ID=11A, VGS=10V	15.7（typ）	nC
栅源电荷 Qgs	Qgs	同上	4.6（typ）	nC
栅漏电荷 Qgd	Qgd	同上	4.5（typ）	nC
开关特性（VDD=200V, ID=11A, RG=20Ω）
开通延迟时间	td(ON)	同上	33.5（typ）	ns
上升时间 trise	trise	同上	31.5（typ）	ns
关断延迟时间	td(OFF)	同上	83（typ）	ns
下降时间 tfall	tfall	同上	56（typ）	ns
体二极管特性
体二极管正向电压	VSD	VGS=0V, ISD=11A	≤1.4	V
连续源极电流	IS	-	11（max）	A
脉冲源极电流	ISM	-	44（max）	A
反向恢复时间 trr	trr	VGS=0V, IS=11A, diF/dt=100A/μs	430（typ）	ns
反向恢复电荷 Qrr	Qrr	同上	3.8（typ）	μC

注：以上参数均来自KIA官方规格书，使用时请以原厂数据手册为准。

联系方式：邹先生

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）

联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KNP6140S/KNF6140S

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