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65N06现货供应商 KIA65N06 PDF文件下载 65A、60V-65N06-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-01-29 

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KIA65N06参数

N沟道增强型功率场效应晶体管是使用起亚的专有的,平面条形DMOS技术。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻,提供优越的开关性能,以及在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于低电压应用,如汽车,DC /直流转换器,高效的电源管理开关在便携式和电池供电产品。这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用的是起亚的专有的,平面条形DMOS工艺制作。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻,提供优越的开关性能,并能承受高能量脉冲。


在雪崩和换相模式下。这些设备非常适合于低电压应用,如汽车,DC / DC转换器,以及高效率的开关电源管理便携式和电池供电的产品。


特征

65A, 60V, RDS(on)= 0.016Ω @VGS= 10V

低栅极电荷(典型的48nc)

Low Crss(典型的32.5pf)

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt/dt能力

175o最高结温度等级


产品型号:KIA65N06

工作方式:65A /60V

漏源电压:60V

栅源电压:±20V

雪崩能量:650mJ

耗散功率:150W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:60V

温度系数:0.7V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:200 PF

输出电容:450 PF

上升时间:33 ns

封装形式:TO-220、TO-220F、TO-263


KIA65N06(65A/60V))
产品编号 KIA65N06/AB

FET极性

N沟道MOSFET
产品工艺 N沟道增强型功率场效应晶体管是使用起亚的专有的,平面条形DMOS技术。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻,提供优越的开关性能,以及在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于低电压应用,如汽车,DC /直流转换器,高效的电源管理开关在便携式和电池供电产品。
产品特征

65A, 60V, RDS(on)= 0.016Ω @VGS= 10 V

低栅极电荷(典型的48nc)

Low Crss(典型的32.5pf)

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt/dt能力

175o最高结温度等级

适用范围

主要适用于低电压应用,如汽车,DC /直流转换器,高效的电源管理开关在便携式和电池供电产品。这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用的是起亚的专有的,平面条形DMOS工艺制作。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻,提供优越的开关性能,并能承受高能量脉冲。

在雪崩和换相模式下。这些设备非常适合于低电压应用,如汽车,DC / DC转换器,以及高效率的开关电源管理便携式和电池供电的产品。

封装形式 TO-220、TO-220F、TO-263
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LOGO
KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF总页数 总7页数


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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