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9N90现货供应商 KIA9N90 PDF文件9N90 9A/900 参数资料-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-01-28 

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KIA9N90参数

N沟道增强型功率场效应晶体管是使用半导体专有的,平面条形DMOS技术,这种先进的技术已特别量身定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的开关性能,并承受高雪崩和换相模式下的能量脉冲。这些设备非常适合高效率。开关电源,有源功率因数校正,半桥式电子镇流器拓扑


特点

9a,900V,RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V

低栅电荷(典型的70数控)

Low Crss(典型的14pf)

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt/dt能力

符合RoHS


产品型号:KIA9N90

工作方式:9A/900V

漏源电压:900V

栅源电压:±30V

漏电流连续:9.0A

脉冲漏极电流:36A

雪崩能量:900mJ

耗散功率:280W

热电阻:40℃/W

漏源击穿电压:900V

栅极阈值电压:3.0V

输入电容:2780 PF

输出电容:228 PF

上升时间:130 ns

封装形式:TO-3P、TO-247


KIA9N90(9A/900V
产品编号 KIA9N90/HF/Hm/SF
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺 N沟道增强型功率场效应晶体管是使用半导体专有的,平面条形DMOS技术,这种先进的技术已特别量身定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的开关性能,并承受高雪崩和换相模式下的能量脉冲。
产品特性

9a,900V,RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V

低栅电荷(典型的70数控)

Low Crss(典型的14pf)

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt/dt能力

符合RoHS

适用范围 主要适用于高效率。开关电源,有源功率因数校正,半桥式电子镇流器拓扑
封装形式 TO-3P、TO-247
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厂家 KIA 原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF页数 总7页

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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