TO-252/TO-220F 双封装，0.39Ω 低内阻，开关电源专用
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| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 型号 | 6145A |
| 品牌 | KIA（KMOS Semiconductor） |
| 类型 | N-Channel MOSFET |
| 额定电流 | 10A |
| 额定电压 | 450V |
| 采用专有全新平面工艺技术 |
| RDS(ON)典型值0.39Ω@VGS=10V |
| 低栅极电荷，降低开关损耗 |
| 内置快恢复体二极管 |
| ? 镇流器与照明设备 |
| ? DC-AC逆变器 |
| ? 其他电力电子应用 |
| 型号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KND6145A | TO-252 | KIA |
| KNF6145A | TO-220F | KIA |
| 引脚号 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate（栅极） |
| 2 | Drain（漏极） |
| 3 | Source（源极） |
| 参数 | 符号 | TO-252 | TO-220F | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 450 | 450 | V |
| 栅源电压 | VGSS | ±30 | ±30 | V |
| 连续漏极电流（25℃） | ID | 11 | 11 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 500 | 500 | mJ |
| 二极管恢复dv/dt | dv/dt | 5.0 | 5.0 | V/ns |
| 功耗 | PD | 140 | 45 | W |
| 工作温度范围 | TJ&TSTG | -55 ~ 150 | ℃ | |
| 参数 | 符号 | TO-252 | TO-220F | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结-壳热阻 | RθJC | 0.89 | 2.7 | ℃/W |
| 结-环境热阻 | RθJA | 75 | 100 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 条件 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 450 | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=450V, VGS=0V | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | - | ±100 | nA |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=5A | 0.39 | 0.5 | Ω |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250uA | - | 4.0 | V |
| 输入电容 | Ciss | VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz | 1200 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | 140 | - | pF | |
| 输出电容 | Coss | 18 | - | pF | |
| 总栅极电荷 | Qg | VDD=200V, ID=11A, VGS=0~10V | 25 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 6 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | 10 | - | nC | |
| 上升时间 | trise | VDD=200V, ID=10A, RG=12Ω, VGS=10V | 24 | - | nS |
| 关断延迟时间 | td(OFF) | 40 | - | nS | |
| 下降时间 | tfall | 26 | - | nS | |
| 体二极管正向电压 | VSD | IS=10A, VGS=0V | - | 1.5 | V |
| 反向恢复时间 | trr | IF=10A, VGS=0V, diF/dt=100A/μs | 303 | - | ns |
| 型号 | 封装 | 类型 |
|---|---|---|
| KND6145A | TO-252 | N沟道高压MOSFET |
| KNF6145A | TO-220F | N沟道高压MOSFET |
| 参数项 | 规格 |
|---|---|
| 漏源耐压 VDSS | 450V |
| 连续漏极电流 ID | 10A |
| 导通电阻 RDS(on) | 0.39Ω@VGS=10V |
| 栅极阈值电压 | 2.0~4.0V |
| 封装形式 | TO-252 / TO-220F |
| 工作结温 | -55℃ ~ +150℃ |
| 栅源耐压 | ±30V |
| 功耗 PD | 45W(TO-220F) / 140W(TO-252) |
| 450V高耐压，适用于各类开关电源 |
| 低内阻，低损耗，转换效率更高 |
| 内置快恢复体二极管，抗冲击强 |
| 低栅极电荷，开关速度快、发热低 |
| 高可靠性，长期稳定工作 |
| 封装齐全，适配贴片与直插需求 |
| 品牌 | 平替替代型号 | 封装 | 规格对标 |
|---|---|---|---|
| 英飞凌 | SPA04N60C3 | TO-252/TO-220 | 600V 4A 低内阻对标 |
| 安森美 | NTD4960N | TO-252 | 450V 6A 对标 |
| 万代/AOS | AOT4N60 | TO-252 | 600V 4A 对标 |
| 士兰微 | SVF4N60D | TO-252 | 600V 4A 对标 |
| 新洁能 | NCE45H10 | TO-252 | 450V 10A 直接对标 |
| 华羿微 | HY04N60A | TO-252 | 600V 4A 对标 |
| 东微半导 | TDM4N60 | TO-252 | 600V 4A 对标 |
| 捷捷微 | JJM4N60 | TO-252 | 600V 4A 对标 |
| 扬杰科技 | YJ45N10 | TO-252 | 450V 10A 直接对标 |
| 【KND6145A/KNF6145A】450V高压MOS，低内阻高可靠 |
| 专为开关电源、适配器、LED驱动、镇流器打造 |
| 低损耗、低发热、高效率，长期稳定不掉链 |
| TO-252贴片/TO-220F直插双封装，灵活适配 |
| 工业级品质，国产替代优选，性价比之王 |
| 快恢复二极管+低栅电荷，开关性能更出色 |
| 450V高耐压，10A大电流，满足大功率场景 |
| 开关电源、电源适配器、LED驱动电源 |
| 电子镇流器、DC-AC逆变器、UPS电源 |
| 工业控制、家电控制板、充电器模块 |
| 电动车控制器、照明驱动、电力电子设备 |
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