TO-263/TO-220 双封装｜2.8mΩ 低内阻｜150A 大电流｜高雪崩｜原厂直供
KNB2706A, KNP2706A, 2706A MOSFET, 60V 150A MOSFET, N沟道MOSFET
| 一、产品核心特性 | |
|---|---|
| 低导通电阻 | Rds(on)=2.8mΩ(典型值)@VGS=10V |
| 性能优势 | 高鲁棒性、快速开关、100%雪崩测试 |
| 其他特性 | 优化的dv/dt抗干扰能力，可靠性强 |
| 二、典型应用场景 | |
| 应用领域 | PWM电路、电源管理、负载开关 |
| 三、封装型号与引脚定义 | |
| 型号/封装 | KNB2706A (TO-263) / KNP2706A (TO-220) |
| 引脚1 | Gate（栅极） |
| 引脚2 | Drain（漏极） |
| 引脚3 | Source（源极） |
| 四、绝对最大额定值(Tc=25℃) | |
| 漏源电压VDS | 60V |
| 栅源电压VGS | ±20V |
| 连续漏极电流ID(Tc=25℃) | 150A |
| 连续漏极电流ID(Tc=100℃) | 98A |
| 脉冲漏极电流IDM | 450A |
| 单脉冲雪崩能量EAS | 552mJ |
| 重复雪崩能量EAR | 240mJ |
| 体二极管恢复dv/dt | 4.5V/ns |
| 功耗PD(Tc=25℃) | TO-263:238W / TO-220:320W |
| 功耗降额系数(>25℃) | TO-220:2.56W/℃ |
| 存储/工作结温范围 | -55℃~+150℃ |
| 五、热特性参数 | |
| 结-壳热阻RθJC | TO-263:0.53℃/W / TO-220:0.39℃/W |
| 结-环境热阻RθJA | TO-220:62.5℃/W(典型值) |
| 六、电气特性参数(Tc=25℃) | |
| 漏源击穿电压BVdss | 60V(最小值，VGS=0V,IDS=250μA) |
| 击穿电压温度系数 | 0.06V/℃(典型值) |
| 漏源漏电流IDSS | ≤1μA(最大值，VDS=60V,VGS=0V) |
| 栅源漏电流IGSS | ±100nA(最大值，VGS=±20V,VDS=0V) |
| 栅极阈值电压VGS(th) | 2.2~3.6V(最小值/最大值，VDS=VGS,IDS=250μA) |
| 导通电阻Rds(on) | 2.8~3.6mΩ(典型2.8mΩ，VGS=10V,ID=20A) |
| 输入电容Ciss | 8850pF(典型值，VGS=0V,VDS=25V,F=1MHz) |
| 输出电容Coss | 610pF(典型值，同上条件) |
| 反向传输电容Crss | 730pF(典型值，同上条件) |
| 开通延迟时间td(on) | 20ns(典型值，VDD=30V,RG=25Ω,ID=50A) |
| 上升时间tr | 38ns(典型值，同上条件) |
| 关断延迟时间td(off) | 49ns(典型值，同上条件) |
| 下降时间tf | 30ns(典型值，同上条件) |
| 总栅极电荷Qg(10V) | 200nC(典型值，VDS=30V,ID=50A) |
| 栅源电荷Qgs | 35nC(典型值，同上条件) |
| 栅漏电荷Qgd | 72nC(典型值，同上条件) |
| 体二极管正向电流IS | ≤150A(最大值) |
| 体二极管脉冲电流ISM | ≤450A(最大值) |
| 体二极管正向压降VSD | ≤1.2V(最大值，ISD=50A,VGS=0V) |
| 反向恢复时间trr | ≤62ns(最大值，VGS=0V,IS=50A,dl/dt=100A/μs) |
| 反向恢复电荷Qrr | ≤105nC(最大值，同上条件) |
| 七、典型特性曲线说明 | |
| 输出特性曲线 | TO-263/TO-220封装下ID与VDS关系，体现低内阻 |
| 转移特性曲线 | ID与VGS关系，体现器件开启特性 |
| 体二极管特性曲线 | 正向电流与压降关系，体现续流性能 |
| Rds(on)特性曲线 | Rds(on)随ID、VGS变化趋势，体现稳定性 |
| 电容特性曲线 | Ciss/Coss/Crss随VDS变化，体现开关特性 |
| 栅极电荷特性曲线 | VGS随Qg变化，体现驱动特性 |
| 电流降额曲线 | ID随结温变化，体现高温性能 |
| 安全工作区(SOA)曲线 | 不同封装下ID与VDS安全工作范围 |
| 瞬态热阻抗曲线 | 不同占空比下热阻抗特性，体现散热性能 |
| 一、KNB2706A/KNP2706A 产品基础信息 | |||
|---|---|---|---|
| 产品型号 | KNB2706A | KNP2706A | 核心规格 |
| 封装形式 | TO-263 贴片 | TO-220 直插 | 60V 150A N沟道MOS |
| 导通电阻 | 2.8mΩ@10V | 2.8mΩ@10V | 低内阻大电流 |
|
二、同规格主流KNB2706A (TO-263) / KNP2706A (TO-220)型号对照表
|
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| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 对标参数 |
| AOS万代 | AON6522 | DFN/TO-252 | 60V 120A 通用款 |
| 英飞凌 | IRL3703 | TO-263/220 | 60V 140A 内阻偏高 |
| 安森美 | NTB60N06 | TO-263/220 | 60V 120A 标准型 |
| 国产替代 | AP2706 | 全封装 | 60V 120A 常规内阻 |
| 国产替代 | CS2706 | 全封装 | 60V 130A 通用型 |
| 国产替代 | HY2706 | 全封装 | 60V 130A 标准款 |
| 三、核心参数优势对比 | |||
| 参数项目 | KNB2706A | KNP2706A | 行业竞品水平 |
| 耐压VDS | 60V | 60V | 60V 通用标准 |
| 连续电流ID | 150A | 150A | 100A-140A |
| 导通电阻 | 2.8mΩ | 2.8mΩ | ≥3.2mΩ |
| 雪崩能量EAS | 552mJ | 552mJ | ≤350mJ |
| 开关速度 | 快速开关 | 快速开关 | 常规开关速度 |
| 可靠性 | 100%雪崩测试 | 100%雪崩测试 | 部分批次测试 |
| 四、官网官方KNB2706A (TO-263) / KNP2706A (TO-220)介绍 | |||
| 型号 | 官方宣传文案 | ||
| KNB2706A |
TO-263贴片MOS 60V150A低内阻高散热 适配电动机驱动、大功率电源、逆变器设备 |
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| KNP2706A |
TO-220直插MOS 60V150A高稳定长寿命 工业电源、工控设备、大功率储能系统专用 |
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| 系列卖点 |
2.8mΩ超低内阻 150A大电流 552mJ高雪崩 发热低、损耗小、抗干扰强、寿命更持久 |
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| 适用场景 |
大功率电源、电机驱动、逆变器、工业控制 光伏储能、电池保护板、汽车电子、DC-DC转换 |
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| 五、客户痛点解决方案 | |||
| 客户痛点 | 我司产品解决方案 | ||
| 大功率带载能力弱 | 150A大电流 满足大功率设备需求 | ||
| 内阻高导致发热严重 | 2.8mΩ超低内阻 温升更低更安全 | ||
| 进口货期长价格昂贵 | 国产原厂 现货稳定 性价比极高 | ||
| 设备易炸管可靠性差 | 高雪崩能量 100%全测 寿命更长 | ||
| 安装场景受限适配难 | 贴片/直插双封装 满足不同结构设计 | ||
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