原厂现货 75A1200V，兼容 IKW75N120，低损耗省散热成本
KGM75N120AI，75A1200V IGBT，TO247 IGBT，国产 IGBT，可易亚 IGBT
| 品牌 | 竞品型号 | 封装 | 规格 |
|---|---|---|---|
| 英飞凌 | IKW75N120CS6 | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 英飞凌 | IKW75N120T2 | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 仙童/ON | FGL75N120ANTD | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| IR | IRG75C120UD | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 三菱 | GT75J122 | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 富士 | 2MBI75N120 | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 士兰微 | SVF75N120P | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 华润微 | CRG75T120AU | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 扬杰 | YGD75N120C | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 捷捷 | JJW75N120 | TO-247 | 75A 1200V IGBT |
| 项目 | 内容说明 |
|---|---|
| 产品型号 | KGM75N120AI |
| 封装类型 | TO-247 直插大功率封装 |
| 核心规格 | 1200V/75A 高功率IGBT |
| 内置结构 | 集成快速续流二极管 |
| 饱和压降 | 典型1.55V@25℃，低损耗 |
| 开关特性 | 高速开关，低开关损耗 |
| 短路能力 | 高鲁棒性，短路耐受更强 |
| 工作温度 | -40℃~+175℃，宽温稳定 |
| 适用领域 | 光伏、UPS、储能、感应加热 |
| 卖点 | 优势说明 |
|---|---|
| 低损耗 | VCE(sat)低，发热小，效率高 |
| 高速开关 | 开关速度快，系统效率更高 |
| 高可靠性 | 芯片稳定，长期工作不失效 |
| 强抗冲击 | 短路耐受，适合工业环境 |
| 直接替代 | 引脚兼容主流品牌，免改板 |
| 成本优势 | 国产原厂，性价比更高 |
| 应用分类 | 适用产品 |
|---|---|
| 新能源 | 光伏逆变器、储能变流器 |
| 工业电源 | UPS、EPS、高频开关电源 |
| 工业加热 | 电磁感应加热、焊机设备 |
| 电机驱动 | 变频器、伺服驱动系统 |
| 通用大功率 | 高频逆变、大功率设备 |
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品全称 | 75A 1200V Silicon Power IGBT |
| 料号 | KGM75N120AI |
| 封装 | TO-247（引脚：1-G、2-C、3-E，内置续流二极管） |
| 品牌 | KIA(可易亚半导体) |
| 分类 | 明细 |
|---|---|
| 核心特性 |
1.VCE(sat)典型1.55V@25℃；2.低饱和压降； 3.高速开关；4.高鲁棒性；5.短路耐受设计 |
| 应用场景 | 光伏逆变器、UPS不间断电源、工业感应加热、储能设备 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 | 备注条件 |
|---|---|---|---|---|
| 集射极耐压 | VCE | 1200 | V | Tj=25℃,VGE=0V |
| 直流集电极电流 | IC | 155 | A | Tjmax，Tc=25℃ |
| 直流集电极电流 | IC | 100 | A | Tjmax，Tc=100℃ |
| 脉冲集电极电流 | ICpuls | 300 | A | 脉冲受结温限值 |
| 续流二极管正向电流 | IF | 112 | A | Tjmax，Tc=25℃ |
| 续流二极管正向电流 | IF | 75 | A | Tjmax，Tc=100℃ |
| 二极管脉冲电流 | IFpuls | 300 | A | 脉冲受结温限值 |
| 栅射极额定电压 | VGE | ±20 | V | 常规驱动电压 |
| 瞬态栅射极电压 | VGE | ±30 | V | 短时瞬态耐压 |
| 25℃功耗 | Ptot | 625 | W | Tc=25℃ |
| 工作结温 | Tj(op) | -40~+175 | ℃ | 芯片正常工作区间 |
| 存储温度 | Tstg | -40~+150 | ℃ | 器件仓储温度 |
| 焊接温度 | - | 260 | ℃ | 引脚1.6mm处，焊接10s |
| 安装扭力 | M | - | Nm | M3螺丝固定 |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| IGBT结到壳热阻 | Rθ(J-C) | 0.24 | ℃/W |
| 续流二极管结壳热阻 | Rθ(J-C) | 0.45 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | Rθ(J-A) | 40 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 集射极击穿电压 | V(BR)CES | 1200 | - | - | V | VGE=0V,IC=250μA |
| 集射极击穿电压 | V(BR)CES | 1200 | - | - | V | VGE=0V,IC=1mA |
| 饱和压降(25℃) | VCE(sat) | - | 1.55 | 1.9 | V | VGE=15V,IC=75A,Tj=25℃ |
| 饱和压降(175℃) | VCE(sat) | - | 2.0 | - | V | VGE=15V,IC=75A,Tj=175℃ |
| 二极管正向压降(25℃) | VF | - | 2.44 | 2.9 | V | VGE=0V,IF=75A,Tj=25℃ |
| 二极管正向压降(175℃) | VF | - | 2.1 | - | V | VGE=0V,IF=75A,Tj=175℃ |
| 栅极阈值电压 | VGE(th) | 4.2 | 5.2 | 6.2 | V | VCE=20V,IC=1.5mA |
| 零栅压漏电流(25℃) | ICES | - | - | 10 | μA | VCE=1200V,VGE=0V,Tj=25℃ |
| 零栅压漏电流(175℃) | ICES | - | - | 5000 | μA | VCE=1200V,VGE=0V,Tj=175℃ |
| 栅极漏电流 | IGES | - | - | 100 | nA | VCE=0V,VGE=±20V |
| 跨导 | gfs | - | TBC | - | S | VCE=20V,IC=75A |
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Cies | 8200 | pF | VCE=30V,VGE=0V,f=1MHz |
| 输出电容 | Coes | 260 | pF | |
| 反向传输电容 | Cres | 150 | pF | |
| 总栅电荷 | QG | 402 | nC | VCC=600V,IC=75A,VGE=15V |
| 开通延迟时间 | td(on) | 50 | nS |
VCC=400V,IC=60A VGE=0/15V,Rg=4Ω |
| 上升时间 | tr | 45 | nS | |
| 关断延迟时间 | td(off) | 400 | nS | |
| 下降时间 | tf | 65 | nS | |
| 开通损耗 | Eon | 5.2 | mJ | |
| 关断损耗 | Eoff | 2.2 | mJ | |
| 总开关损耗 | Ets | 7.5 | mJ | |
| 二极管反向恢复时间 | trr | 170 | nS |
IF=40A,VR=300V di/dt=600A/μs |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 3.2 | μC | |
| 反向恢复峰值电流 | IrrM | 45 | A | |
| 反向电流下降速率 | dirr/dt | TBC | A/μs | 同上二极管条件 |
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